[发明专利]电子元件的封装方法以及基板接合体有效
申请号: | 201380031524.0 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104412706B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 须贺唯知;松本好家 | 申请(专利权)人: | 须贺唯知;网络技术服务株式会社 |
主分类号: | H05B33/04 | 分类号: | H05B33/04;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 封装 方法 以及 接合 | ||
1.一种电子元件的封装方法,包括如下工序:
封装部形成工序,在形成有电子元件的第一基板的表面上,以比该电子元件的厚度大的厚度包围该电子元件地形成包含有机材料的封装部;
第一无机材料层形成工序,至少在上述封装部的暴露表面形成第一无机材料层;
第二无机材料层形成工序,在第二基板的至少与第一基板上的上述封装部对应的接合部位形成第二无机材料层;
表面活性化工序,通过照射具有预定的动能的粒子而使相互接触的第一基板侧表面以及第二基板侧表面中的至少一者活性化;
以及
基板接合工序,使第一基板的第一无机材料层与第二基板的第二无机材料层彼此直接接触,从而将第一基板与第二基板接合,
从上述表面活性化工序至上述基板接合工序在压力为1×10-5Pa以下的真空气氛中进行。
2.根据权利要求1所述的电子元件的封装方法,其中,
上述电子元件的封装方法还包括如下工序:
填充部形成工序,在上述封装部形成工序后,且在上述第一无机材料层形成工序前,形成利用填充剂覆盖第一基板的表面上的电子元件的填充部;以及
形成填充部无机材料层的工序,在上述第一无机材料层形成工序中以利用无机材料覆盖该填充部的表面的方式形成填充部无机材料层,或者以利用无机材料覆盖第二基板上的与填充部对应的部位的方式形成填充部无机材料层。
3.根据权利要求1或2所述的电子元件的封装方法,其中,
上述电子元件的封装方法还包括如下工序:
填充部形成工序,在上述封装部形成工序后并且在上述第一无机材料层形成工序后,利用填充剂覆盖第一基板的表面上的电子元件而形成填充部;以及
形成填充部无机材料层的工序,以利用无机材料覆盖该填充部的表面或者第二基板上的与填充部对应的部位的方式形成填充部无机材料层。
4.根据权利要求1或2所述的电子元件的封装方法,其中,
上述电子元件的封装方法还包括如下工序:
形成填充部的工序,在第二基板的与第一基板的表面上的电子元件对应的表面部位形成由填充剂构成的填充部;
形成填充部无机材料层的工序,以利用无机材料覆盖该填充部的表面的方式形成填充部无机材料层。
5.根据权利要求1所述的电子元件的封装方法,其中,
以不覆盖电子元件的方式形成第一无机材料层、以及/或者第二无机材料层。
6.根据权利要求2所述的电子元件的封装方法,其中,
以不覆盖电子元件的方式形成填充部无机材料层。
7.根据权利要求1所述的电子元件的封装方法,其中,
以从由金属、半导体、氮化物、氮氧化物、氧化物以及碳化物构成的组中选择的无机材料作为主要成分形成上述第一无机材料层、以及/或者第二无机材料层。
8.根据权利要求2所述的电子元件的封装方法,其中,
以从由金属、半导体、氮化物、氮氧化物、氧化物以及碳化物构成的组中选择的无机材料作为主要成分形成上述填充部无机材料层。
9.根据权利要求1所述的电子元件的封装方法,其中,
在形成上述第一无机材料层、以及/或者第二无机材料层之前,在要形成第一无机材料层、以及/或者第二无机材料层的暴露表面形成由无机材料或者有机材料构成的单层或者多层。
10.根据权利要求2所述的电子元件的封装方法,其中,
在形成上述填充部无机材料层之前,在要形成填充部无机材料层的暴露表面形成由无机材料或者有机材料构成的单层或者多层。
11.根据权利要求1或2所述的电子元件的封装方法,其中,
上述封装部形成工序通过呈嵌套状包围电子元件而形成多个封装部。
12.根据权利要求1或2所述的电子元件的封装方法,其中,
上述无机材料层形成工序使用线型粒子束源进行。
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