[发明专利]有机硅化合物、使用其的薄膜形成用组合物以及有机薄膜有效
| 申请号： | 201380031976.9 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104395327B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高桥敏明;肥高友也;浅沼大右 | 申请（专利权）人： | 日本曹达株式会社 |
| 主分类号： | C07F7/18 | 分类号： | C07F7/18;C09K3/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 金世煜,苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机硅 化合物 使用 薄膜 形成 组合 以及 有机 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机薄膜形成用溶液，其特征在于，是在有机溶剂中将a)由式(I)表示的有机硅化合物、b)可与所述有机硅化合物相互作用的化合物和c)水混合而得到的；
R-(CH2)n-SiX3 (I)
式中，R表示碳原子数1～3的烷氧基、苯基，X表示羟基或碳原子数1～6的烷氧基，n表示17～24中的任一整数；
所述可与所述有机硅化合物相互作用的化合物选自钛醇盐类、钛醇盐类部分水解产物、将钛醇盐类用2倍当量以上的水处理而得到的水解产物和经配位化的钛化合物中的至少一种。
2.一种有机薄膜形成方法，具有如下工序：
(A)在有机溶剂中将a)权利要求1所述的由式(I)表示的有机硅化合物、b)可与所述有机硅化合物相互作用的化合物和c)水混合而制备有机薄膜形成用溶液的工序；以及
(B)使所得的有机薄膜形成用溶液与基板接触的工序；
其中，所述可与所述有机硅化合物相互作用的化合物选自钛醇盐类、钛醇盐类部分水解产物、将钛醇盐类用2倍当量以上的水处理而得到的水解产物和经配位化的钛化合物中的至少一种。
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