[发明专利]覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

该覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：

配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；

封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在所述剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的所述封装层来埋设所述半导体元件而将所述半导体元件封装；以及

加热工序，该加热工序在所述封装工序之后对所述封装层加热而使所述封装层固化，

所述加热工序具有：

第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对所述封装片加热；

剥离工序，该剥离工序在所述第1加热工序之后将所述剥离层自所述封装层剥离；以及

第2加热工序，该第2加热工序在所述剥离工序之后利用温度高于所述第1温度的第2温度对所述封装层加热。

2.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第1加热工序之后的所述封装层在23℃时的压缩弹性模量为0.15MPa以上。

3.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述封装工序中的所述封装层是两阶段热固化性树脂组合物的B阶段。

4.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述封装层含有填充剂和/或荧光体。

5.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第1温度具有使温度上升到所述第2温度的升温温度范围。

6.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述支承台是基板，在所述配置工序中，将所述半导体元件安装于所述基板。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

该半导体装置的制造方法包括制造覆有封装层的半导体元件的工序和将所述覆有封装层的半导体元件安装于基板的工序，

通过覆有封装层的半导体元件的制造方法来制造所述覆有封装层的半导体元件，

该覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：

配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；

封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在所述剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的所述封装层来埋设所述半导体元件而将所述半导体元件封装；以及

加热工序，该加热工序在所述封装工序之后对所述封装层加热而使所述封装层固化，

所述加热工序具有：

第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对所述封装片加热；

剥离工序，该剥离工序在所述第1加热工序之后将所述剥离层自所述封装层剥离；以及

第2加热工序，该第2加热工序在所述剥离工序之后利用温度高于所述第1温度的第2温度对所述封装层加热。