[发明专利]覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法，详细而言，涉及覆有封装层的半导体元件的制造方法和使用通过该制造方法而获得的覆有封装层的半导体元件的半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，公知有一种利用树脂来封装发光二极管等半导体元件的方法。

例如，提出如下一种方法：在安装有发光二极管的基板之上设置具有基材片和层叠于基材片之下的有机硅树脂层的封装用片，接着，利用有机硅树脂层来埋设发光二极管而将该发光二极管封装。之后，以120℃～250℃加热封装用片而使有机硅树脂层(封装层)固化，接着，将基材片自封装层剥离，从而制造光半导体装置(例如，参照下述专利文献1。)。

专利文献1：日本特开2013－095809号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在专利文献1所记载的方法中，存在封装层在加热中变形这样的不良情况。另外，在加热中基材片也发生变形，因此存在封装层随着该基材片的变形而进一步变形这样的不良情况。

本发明的目的在于，提供能够在防止剥离层的变形同时也防止封装层的变形的情况下获得期望的封装层的覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

为了到达所述目的，本发明提供一种覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，该覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在所述剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的所述封装层来埋设所述半导体元件而将所述半导体元件封装；以及加热工序，该加热工序在所述封装工序之后对所述封装层加热而使所述封装层固化，所述加热工序具有：第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对所述封装片加热；剥离工序，该剥离工序在所述第1加热工序之后将所述剥离层自所述封装层剥离；以及第2加热工序，该第2加热工序在所述剥离工序之后利用温度高于所述第1温度的第2温度对所述封装层加热。

采用该方法，在第1加热工序中，利用温度较低的第1温度在常压下对封装片加热，因此，能够使封装层贴紧于剥离层并保持形状，由此能够抑制封装层的变形。

另外，由于在剥离工序之前实施第1加热工序，因此，使被供给到剥离工序的封装层的固化进一步进行，因而，在第1加热工序之后的剥离工序中，使剥离层与封装层之间的边界处发生界面剥离，能够可靠地实施剥离层自封装层的剥离。其结果，能够获得期望的封装层。

然后，在剥离工序中将剥离层自封装层剥离下来，之后，在第2加热工序中，由于剥离层已经被自封装层剥离，因此即使利用温度较高的第2温度对封装层加热，也能够防止因剥离层与封装层之间的线膨胀系数的差异而导致的剥离层的变形，进而能够防止封装层的变形。

另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述第1加热工序之后的所述封装层在23℃时的压缩弹性模量为0.15MPa以上。

采用该方法，第1加热工序之后的封装层在23℃时的压缩弹性模量为0.15MPa以上。因此，能够利用剥离工序将剥离层自封装层可靠地剥离。

另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述封装工序中的所述封装层是两阶段热固化性树脂组合物的B阶段。

采用该方法，由于封装工序中的封装层是两阶段热固化性树脂组合物的B阶段，因此能够在封装工序中可靠地保持封装层的形状。因此，能够一边保持封装层的形状一边使封装层可靠地埋设半导体元件而将该半导体元件封装。

另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述封装层含有填充剂和/或荧光体。

采用该方法，能够提高第1加热工序之后的封装层的形状保持性。

另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述第1温度具有使温度上升到所述第2温度的升温温度范围。

采用该方法，能够提高覆有封装层的半导体元件的制造效率。

另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述支承台是基板，在所述配置工序中，将所述半导体元件安装于所述基板。

采用该方法，能够防止封装层的变形并将完全固化后的封装层安装于基板，因此，能够制造可靠性优异的覆有封装层的半导体元件。