[发明专利]用于MOS器件制作的自对准3-D外延结构

权利要求书

1.一种用于形成鳍式晶体管结构的方法，所述方法包括：

在衬底上形成多个鳍状物，每个鳍状物从所述衬底延伸；

在每个鳍状物的相对的侧上形成浅沟槽隔离；

使至少一些所述鳍状物凹陷以提供第一组凹陷；以及

在所述第一组凹陷中的每个凹陷中形成第一类型的替代鳍状物，所述第一类型的每个替代鳍状物包括所述晶体管结构的沟道。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使至少一些所述鳍状物凹陷以提供第一组凹陷包括：

掩蔽所述多个鳍状物中的第一组鳍状物，以便留下第一组未掩蔽的牺牲鳍状物；以及

使所述第一组未掩蔽的牺牲鳍状物凹陷以提供所述第一组凹陷。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

使所述第一类型的每个替代鳍状物平坦化，其中，所述平坦化包括去除所述第一组鳍状物之上的掩模材料。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

掩蔽所述第一类型的所述替代鳍状物中的每个替代鳍状物以便留下第二组未掩蔽的牺牲鳍状物；

使所述第二组未掩蔽的牺牲鳍状物凹陷以提供第二组凹陷；以及

在所述第二组凹陷中的每个凹陷中形成第二类型的替代鳍状物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，沿单个轴截取的至少一个公共平面穿过所述第一类型的至少一个替代鳍状物和所述第二类型的至少一个替代鳍状物的相应沟道。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，不存在穿过所述第一类型替代鳍状物和所述第二类型替代鳍状物的相应沟道的、沿单个轴截取的公共平面。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，在极性、应变和/或成分中的至少一个方面，所述第一类型的所述替代鳍状物被配置为与所述第二类型的所述替代鳍状物不同。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一类型的所述替代鳍状物被配置成用于PMOS或NMOS中的一种，并且所述第二类型的所述替代鳍状物被配置成用于PMOS或NMOS中的另一种。

9.根据权利要求4所述的方法，还包括：

使所述第二类型的每个替代鳍状物平坦化，其中，所述平坦化包括去除所述第一类型的所述替代鳍状物之上的掩模材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，使至少一些所述鳍状物凹陷以提供第一组凹陷包括：使所述多个鳍状物中的所有鳍状物凹陷。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使所述衬底上的浅沟槽隔离凹陷以暴露出所述第一类型的所述替代鳍状物的侧壁；

在所述第一类型的所述替代鳍状物之上形成栅极；以及

形成与所述栅极相关联的源极区/漏极区。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个鳍状物中的剩余鳍状物不是替代鳍状物而是第二类型的鳍状物，所述第二类型的每个剩余鳍状物包括所述晶体管结构的沟道。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

使所述衬底上的浅沟槽隔离凹陷以暴露出所述第一类型的所述替代鳍状物的侧壁和所述第二类型的所述剩余鳍状物的侧壁；以及

在所述第一类型的所述替代鳍状物和所述第二类型的所述剩余鳍状物之上形成栅极结构；以及

形成与所述栅极结构相关联的源极区/漏极区。

14.一种集成电路，所述集成电路是由根据权利要求1至13中的任一项所述的方法形成的。

15.一种晶体管器件，包括：

衬底上的第一类型的第一多个替代鳍状物，所述第一类型的第一多个替代鳍状物中的每个替代鳍状物从所述衬底延伸并且包括沟道区域；以及

所述衬底上的第二多个其它鳍状物，所述第二多个其它鳍状物中的每个鳍状物从所述衬底延伸并且包括沟道区域。

16.根据权利要求15所述的器件，其中，所述第二多个其它鳍状物也是所述第一类型的替代鳍状物。

17.根据权利要求15所述的器件，其中，所述第二多个其它鳍状物是第二类型的，并且在极性、应变和/或成分中的至少一个方面，所述第一类型的替代鳍状物的所述沟道区域被配置为与所述第二类型的其它鳍状物的所述沟道区域不同。