[发明专利]发光二极管模块和机动车前照灯有效
申请号: | 201380034654.X | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN104428894B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 鲍里斯·艾兴贝格;于尔根·霍尔斯 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 模块 机动 车前 | ||
1.一种发光二极管模块(1),所述发光二极管模块具有:
-具有载体上侧(20)的载体(2);
-多个光电子半导体芯片(3),所述光电子半导体芯片安装在所述载体上侧(20)上并且构建成用于产生初级辐射;
-至少一个转换介质体(6),以用于将所述初级辐射至少部分地转换成次级辐射;
-至少一个粘接件(5),所述转换介质体(6)借助所述粘接件安装在所述半导体芯片(3)中的至少一个半导体芯片上;
-辐射能穿透的第一填充物(41),和
-辐射不能穿透的第二填充物(42),
其中
-所述半导体芯片(3)相互间部分地具有第一间距(D1)并且部分地具有第二间距(D2),
-在相互间以所述第一间距(D1)设置的相邻的所述半导体芯片(3)之间存在所述第一填充物(41)以用于将相邻的所述半导体芯片(3)彼此光学耦合,和
-在相互间以所述第二间距(D2)设置的相邻的所述半导体芯片(3)之间存在所述第二填充物(42)以用于将相邻的所述半导体芯片(3)彼此光学隔离,
-至少一个沟道(7)在所述载体(2)中成形;
-所述沟道(7)至少在相互间以较大的所述第二间距(D2)设置的相邻的半导体芯片(3)之间成形;
-所述粘接件(5)构成辐射可穿透的所述第一填充物(41);
-所述半导体芯片(3)设置成具有各至少三个所述半导体芯片(3)的至少两排,
-在一排之内的所述半导体芯片(3)之间存在所述第一填充物(41),和
-在至少两个相邻的排之间存在所述第二填充物(42)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管模块(1),
其中,
-所述半导体芯片(3)设置在共同的平面中,和
-所述半导体芯片(3)设置成刚好两排。
3.根据权利要求2所述的发光二极管模块(1),其中这些排中的至少一排配设有刚好一个一件式的转换介质体(6),
其中所述转换介质体(6)在仅该排的全部的所述半导体芯片(3)之上延伸。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光二极管模块(1),其中所述沟道(7)的宽度(B)小于所述沟道(7)的深度,其中在所述载体上侧(20)上的宽度(B)至少为30μm并且至多为150μm。
5.根据权利要求2所述的发光二极管模块(1),其中在所述载体上侧(20)的俯视图中观察,至少一个所述沟道(7)超出相邻的所述半导体芯片(3)之间的内部区域(71),并且所述沟道(7)在超出所述内部区域(71)的外部区域(72)中扇形地分支。
6.根据权利要求5所述的发光二极管模块(1),其中至少一个所述沟道(7)在所述外部区域(72)中的体积为位于邻接的所述半导体芯片(3)中的一个半导体芯片上的所述粘接件(5)的体积的至少20%。
7.根据权利要求2所述的发光二极管模块(1),其中所述沟道(7)对于所述粘接件(5)的材料的毛细作用大于相邻的所述半导体芯片(3)的毛细作用,所述沟道(7)在相邻的所述半导体芯片之间成形。
8.根据权利要求1、2、3、5、6或7中的任一项所述的发光二极管模块(1),其中相邻的所述半导体芯片(3)之间的间距(D1,D2)小于所述沟道的宽度(B),至少一个所述沟道(7)在相邻的所述半导体芯片之间成形。
9.根据权利要求1、2、3、5、6或7中的任一项所述的发光二极管模块(1),所述发光二极管模块还包括至少一个嵌入板(9),其中所述嵌入板(9)是辐射不能穿透的并且形成所述第二填充物(42)的至少一部分。
10.根据权利要求5所述的发光二极管模块(1),所述发光二极管模块还包括至少一个嵌入板(9),其中所述嵌入板(9)是辐射不能穿透的并且形成所述第二填充物(42)的至少一部分,
其中所述嵌入板(9)至少在所述半导体芯片(3)之间的所述内部区域(71)中具有至多为200μm的厚度并且在远离所述载体上侧(20)的方向上没有超出所述转换介质体(6),并且
其中所述嵌入板(9)由陶瓷或塑料成形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380034654.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类