[发明专利]发光二极管模块和机动车前照灯有效
申请号: | 201380034654.X | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN104428894B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 鲍里斯·艾兴贝格;于尔根·霍尔斯 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 模块 机动 车前 | ||
技术领域
提出一种发光二极管模块。此外,提出一种具有这种发光二极管模块的机动车前照灯。
发明内容
要实现的目的在于:提出一种发光二极管模块,其中能够有针对性地设定相邻的半导体芯片之间的光学隔离和光学耦合。
此外,所述目的通过具有本发明的特征的发光二极管模块来实现。优选的改进形式是下面的描述的主题。
根据至少一个实施方式,发光二极管模块具有带有载体上侧的载体。载体优选包含电的印制导线以及电的接触点以用于运行发光二极管模块。优选地,载体是机械地承载和机械地稳定发光二极管模块的组件。载体例如为电路板、金属芯印刷电路板或者陶瓷基底。
根据至少一个实施方式,发光二极管模块包括多个光电子半导体芯片。半导体芯片构建成用于在发光二极管模块工作时产生初级辐射。初级辐射优选为蓝光或紫外辐射,例如关于峰值波长、英文为peak wavelength在400nm和480nm之间的光谱范围中,其中包括边界值。优选地,半导体芯片为发光二极管芯片。
根据至少一个实施方式,半导体芯片直接地或间接地安装在载体的载体上侧上。例如,半导体芯片粘接到载体上侧上或者焊接到载体上侧上。半导体芯片能够矩阵状地以规则的图案设置在载体上侧上。
根据至少一个实施方式,发光二极管模块包括辐射可穿透的第一填充物。辐射可穿透能够表示:第一填充物能够由可见光和/或由初级辐射在没有显著的吸收损耗的情况下和/或在没有显著的散射的情况下穿过。
根据至少一个实施方式,发光二极管模块包括辐射不可穿透的第二填充物。辐射不可穿透表示:第二填充物尤其在平行于载体上侧的方向上具有对于可见光和/或对于初级辐射的为至多10%或至多5%或至多1%的透射度。第二填充物尤其关于初级辐射能够起反射或吸收作用。第二填充物能够由多个组分、例如由不同的浇注料或由浇注料和预制的组分组成。
根据至少一个实施方式,半导体芯片相互间部分地以第一间距设置。此外,半导体芯片相互间部分地以第二间距设置。第二间距在此大于第一间距。换而言之,在相邻的半导体芯片之间、在载体上侧上的半导体芯片的布置之内,存在至少两个彼此不同的间距。可能的是,在该布置中在相邻的半导体芯片之间刚好出现两个彼此不同的间距。
根据至少一个实施方式,在相互间以第一间距设置的相邻的半导体芯片之间布置辐射可穿透的第一填充物。第一填充物构建成用于所述相邻的半导体芯片的光学耦合。换而言之,在存在第一填充物的这些半导体芯片之间,相对于没有第一填充物的状态,光学耦合优选地提高。因此,与没有第一填充物的情况相比,更多的辐射能够从所述相邻的半导体芯片中的一个半导体芯片到达另一个半导体芯片。
根据至少一个实施方式,在相互间以第二间距设置的相邻的半导体芯片之间存在第二填充物。第二填充物构建成用于所述相邻的半导体芯片彼此间的光学隔离。换而言之,没有或在运行中产生的辐射的仅可忽略的份额能够尤其以直接的路径从所述相邻的半导体芯片中的一个半导体芯片到达另一个相邻的半导体芯片。
根据至少一个实施方式,在相互间以第一间距设置的相邻的半导体芯片之间存在第二填充物,并且在相互间以第二间距设置的相邻的半导体芯片之间存在第一填充物。
在至少一个实施方式中,发光二极管模块具有带有载体上侧的载体以及多个光电子半导体芯片,其中半导体芯片安装在载体上侧上并且构建成用于产生初级辐射。半导体芯片相互间部分地以第一间距并且部分地以更大的第二间距设置。在相互间以第一间距设置的相邻的半导体芯片之间存在辐射可穿透的第一填充物以用于所述半导体芯片的光学耦合。在相互间以第二间距设置的相邻的半导体芯片之间存在辐射不可穿透的第二填充物以用于所述半导体芯片的光学隔离。
通过这种填充物,能够实现特定的半导体芯片之间的有针对性的光学耦合或有针对性的光学隔离。在此,能够实现半导体芯片的尤其节约空间的和紧密的布置。
在具有多个紧密并排设置的半导体芯片的发光二极管模块中,能够存在下述问题:侧向地从半导体芯片中射出的光在另一个半导体芯片的位置处离开模块或者激发相邻的转换介质层以发光。这能够引起相邻的半导体芯片的或相邻的半导体芯片组的尤其对于自适应的机动车前照灯而言的不期望的光学耦合,尤其当所述半导体芯片或组能够彼此电独立地控制时如此。另一方面,也通常期望的是:共同地控制半导体芯片的较小的分组并且能够实现在所述半导体芯片之上的尽可能均匀的放射。
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