[发明专利]碳化硅外延晶片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201380034721.8 申请日: 2013-05-28
公开(公告)号: CN104412362B 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 姜石民 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 陈海涛,穆德骏
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅 外延 晶片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制造碳化硅外延晶片的方法,所述方法包括:

在衬托器中准备晶片;以及

在所述晶片上生长碳化硅外延层,

其中所述在所述晶片上生长碳化硅外延层包括:

将原料供给到所述衬托器中;

使用所述原料制造中间化合物;

在所述晶片上以第一生长速度生长所述碳化硅外延层;以及

在所述晶片上以比所述第一生长速度更高的第二生长速度生长所述碳化硅外延层,

其中所述原料包含含有碳和硅的液体原料,

其中所述液体原料包含甲基三氯硅烷(MTS)或三氯硅烷(TCS),

其中在使用所述原料制造中间化合物的过程中,原料分解为包含硅、碳和氯的基团,

其中所述基团包括CH3·、SiCl·、SiCl2·、SiHCl·或SiHCl2·,

其中在所述晶片上以第二生长速度生长所述碳化硅外延层的步骤中供给到衬托器中的原料的量,比在所述晶片上以第一生长速度生长所述碳化硅外延层的步骤中供给到衬托器中的原料的量更多,

其中在所述晶片上以第一生长速度生长所述碳化硅外延层的过程中,温度在1570℃~1650℃范围内,

其中在所述晶片上以第二生长速度生长所述碳化硅外延层的过程中,温度在1500℃~1700℃范围内。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一生长速度为10μm/小时~20μm/小时。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二生长速度为30μm/小时。

4.根据权利要求2所述的方法,其中,在所述以第一生长速度生长所述碳化硅外延层中,碳原子数对硅原子数的比为0.7~1.5。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述以第一生长速度生长所述碳化硅外延层中,硅原子对氢分子的百分比为0.01%以上。

6.根据权利要求1所述的方法,其中依次进行所述以第一生长速度生长所述碳化硅外延层和所述以第二生长速度生长所述碳化硅外延层。

7.一种碳化硅外延晶片,其通过权利要求1的制造碳化硅外延晶片的方法制得,

所述碳化硅外延晶片包含:

碳化硅晶片,和

所述碳化硅晶片上的碳化硅外延层,

其中在所述碳化硅外延层上形成的表面缺陷为1ea/cm2以下。

8.根据权利要求7所述的碳化硅外延晶片,其中所述表面缺陷包含微管。

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