[发明专利]金属醇盐化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和醇化合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有特定的亚氨基醇作为配位体的新颖的金属醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料、使用了该薄膜形成用原料的含有金属的薄膜的制造方法和新颖的醇化合物。

背景技术

含有金属元素的薄膜材料由于显示出电特性和光学特性等，所以被应用于各种用途。例如，铜和含有铜的薄膜由于具有高导电性、高耐电迁移性、高熔点的特性，因而被作为LSI的配线材料来应用。另外，镍和含有镍的薄膜主要用于电阻膜、阻隔膜等电子部件的构件、磁性膜等记录介质用构件、电极等薄膜太阳电池用构件等。另外，钴和含有钴的薄膜用于电极膜、电阻膜、粘接膜、磁带、超硬工具构件等。

作为上述的薄膜的制造方法，可以列举出溅射法、离子镀法、涂布热分解法以及溶胶凝胶法等MOD法、化学气相沉积法等，由于具有组成控制性、高低差覆盖性优良、适合于批量生产化、能够实现混合集成等诸多优点的缘故，所以包括ALD(原子层沉积；Atomic Layer Deposition)法在内的化学气相沉积(以下，有时也仅记为CVD)法是最适合的制造工艺。

作为化学气相沉积法中使用的金属供给源，已经大量报道过各种原料，例如，在专利文献1中，公开了在MOCVD法中能够用作含有镍的薄膜形成用原料的镍的叔氨基醇盐化合物。另外，在专利文献2中，公开了在MOCVD法中能够用作含有钴的薄膜形成用原料的钴的叔氨基醇盐化合物。此外，在专利文献3中，公开了在化学气相沉积法中能够用作含有铜的薄膜形成用原料的铜的叔氨基醇盐化合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：US2008/171890号公报

专利文献2：KR100675983号公报

专利文献3：日本特开2006-328019号公报

发明内容

本发明所要解决的问题

在使化学气相沉积用原料等气化来形成薄膜的情况下，适合于该原料的化合物(前体)所要求的性质是无自然起火性、蒸气压大而容易气化、热稳定性高。以往的金属化合物中，还没有能够充分满足上述要求的化合物。

另一方面，在使化学气相沉积用原料等气化来形成金属铜薄膜的情况下，如果进行200℃以上的加热，则存在着金属铜薄膜的膜质变差，电阻值变高，无法获得所期望的电特性的问题。该问题的原因还不确定，但据推测这或许是因为：通过进行200℃以上的加热，会使得到的薄膜中存在的铜粒子的粒径变大或该粒子凝聚。因此，需要有在低于200℃下可发生热分解的金属铜薄膜形成用的化学气相沉积法用原料。

因此，本发明的目的是提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是，提供一种具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。

解决问题的手段

本发明者进行了反复研究，结果发现，特定的金属醇盐化合物能够解决上述课题，从而得到本发明。

本发明提供由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物、含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料、和使用该原料来形成含有金属的薄膜的薄膜的制造方法。

(式中，R¹表示甲基或乙基，R²表示氢原子或甲基，R³表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。)

另外，本发明提供适合作为上述金属醇盐化合物的配位体的由下述通式(II)表示的醇化合物。

(式中，R⁴表示甲基或乙基，R⁵表示氢原子或甲基，R⁶表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基。其中，当R⁵为氢原子时，R⁴表示甲基或乙基，R⁶表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基。另外，当R⁵为甲基、R⁴为甲基时，R⁶表示碳原子数为3的直链或分支状的烷基。另外，当R⁵为甲基、R⁴为乙基时，R⁶表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基。)

发明效果