[发明专利]多晶CaF2构件、用于等离子体处理装置的构件、等离子体处理装置及聚焦环的制造方法

权利要求书

1.一种多晶CaF₂构件，其包括下述组合体，所述组合体是将包含CaF₂的复数个多晶体压接而成的。

2.如权利要求1所述的多晶CaF₂构件，其中，所述多晶体的晶粒的平均粒径为200μm以上。

3.如权利要求1或2所述的多晶CaF₂构件，其中，所述多晶体的相对密度为94.0％以上。

4.一种用于等离子体处理装置的构件，其包括权利要求1～3中任一项所述的多晶CaF₂构件。

5.如权利要求4所述的用于等离子体处理装置的构件，其为聚焦环。

6.一种等离子体处理装置，其包括权利要求4或5所述的用于等离子体处理装置的构件。

7.一种聚焦环的制造方法，包括下述步骤：

准备包含多晶CaF₂的复数个零部件；和

将所述复数个零部件彼此压接从而形成一个多晶CaF₂构件。

8.如权利要求7所述的聚焦环的制造方法，其中，将所述复数个零部件彼此压接时的保持温度为1000度以上、1200度以下。

9.如权利要求8所述的聚焦环的制造方法，其中，将所述复数个零部件彼此压接时的加压力为0.9Mpa以上、1.8Mpa以下。

10.如权利要求9所述的聚焦环的制造方法，其中，所述复数个零部件各自具有在进行所述压接时与其他零部件相接合的接合面，所述接合面的面粗糙度为1.0μm以下。