[发明专利]多晶CaF2构件、用于等离子体处理装置的构件、等离子体处理装置及聚焦环的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及多晶CaF₂构件、用于等离子体处理装置的构件、等离子体处理装置及聚焦环(focus ring)的制造方法。

背景技术

一直以来，作为用于半导体制造装置的耐等离子体构件，由复数个构件构成的聚焦环是已知的(例如专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2009-290087号公报

专利文献2：日本特开2011-3730号公报

发明内容

但是，存在将复数个构件接合时所使用的粘合剂或带构件成为污染源的问题。

根据本发明的第一实施方式，提供了一种多晶CaF₂构件，其包括下述组合体，所述组合体是将包含CaF₂的复数个多晶体压接而成的。

根据本发明的第二实施方式，对于第一实施方式的多晶CaF₂构件而言，优选地，多晶体的晶粒的平均粒径为200μm以上。

根据本发明的第三实施方式，对于第一或第二实施方式的多晶CaF₂构件而言，优选地，多晶体的相对密度为94.0％以上。

根据本发明的第四实施方式，提供了一种用于等离子体处理装置的构件，其包括第一实施方式～第三实施方式中的任一项实施方式的多晶CaF₂构件。

根据本发明的第五实施方式，对用于等离子体处理装置的构件而言，第四实施方式的等离子体处理装置用构件为聚焦环。

根据本发明的第六实施方式，提供了一种等离子体处理装置，其包括第四或第五实施方式的用于等离子体处理装置的构件。

根据本发明的第七实施方式，提供了一种聚焦环的制造方法，所述制造方法包括：准备包含多晶CaF₂的复数个零部件；和将素数个零部件彼此压接从而形成一个多晶CaF₂构件。

根据本发明的第八实施方式，对于第七实施方式的聚焦环的制造方法而言，优选的是，将复数个零部件彼此压接时的保持温度为1000度以上、1200度以下。

根据本发明的第九实施方式，对于第八实施方式的聚焦环的制造方法而言，优选的是，将复数个零部件彼此压接时的加压力为0.9Mpa以上、1.8Mpa以下。

根据本发明的第十实施方式，对于第九实施方式的聚焦环的制造方法而言，优选的是，复数个零部件各自具有在进行压接时与其他零部件相接合的接合面，接合面的面粗糙度为1.0μm以下。

根据本发明，能够得到由复数个多晶体的接合面通过压接而接合形成的组合体构成的多晶CaF₂构件，因此，可提供不存在由粘合剂或带构件产生的污染的聚焦环。

附图说明

[图1]是表示根据本发明的实施方式的聚焦环的外观的图。

[图2]是具有聚焦环的等离子体处理装置的示意图。

[图3]是表示在改变面粗糙度、保持温度和加压力的情况下的试样的压接结果的图。

具体实施方式

参照附图，对作为根据本发明的实施方式的多晶CaF₂(氟化钙)构件的一个例子的聚焦环进行说明。本实施方式的聚焦环是在等离子体处理装置中使用的构件，其通过将由多晶CaF₂制造的复数个零部件经压接而接合来制造。需要说明的是，对该实施方式进行具体的说明是为了更好地理解发明的主旨，只要没有特别指定，则并不限定本发明。

图1表示根据实施方式制得的聚焦环1的构成。如图1(a)所示，聚焦环1是将三个零部件2接合而成的组合体，其形成为环状。构成聚焦环1的一个零部件2具有图1(b)所示的形状。零部件2具有与其他零部件2相接合的接合面21、和层差部22，三个零部件2通过接合面21而接合，从而形成聚焦环1。聚焦环1是为了降低在使用等离子体处理装置对被处理物进行等离子体蚀刻时、因为不均匀的等离子体分布而引起的被处理物的蚀刻速度的不均匀性而设置在被处理物的周边的构件。此外，可以用层差部22支承被处理物，因此，聚焦环1也可以作为使被处理物移动时、进行操作时的支承物使用。被处理物在干蚀刻工序中暴露于等离子体时，聚焦环1也同样地暴露于等离子体而被蚀刻。因此，对聚焦环1要求高的耐蚀刻性。

形成聚焦环1的零部件2的个数并不限定为上述的三个，可根据聚焦环1的尺寸等由最合适的个数的零部件2形成。需要说明的是，对于聚焦环1的制造方法的详细说明将在后文中记述。