[发明专利]透光性导电膜及含有透光性导电膜的触摸板有效
申请号: | 201380036425.1 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN104428844A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 滝泽守雄;泽田石哲郎;武藤胜纪;田中治;中谷康弘;林秀树 | 申请(专利权)人: | 积水纳米涂层科技有限公司;积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B7/02;B32B9/00;G06F3/041 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透光 导电 含有 触摸 | ||
1.一种透光性导电膜,其包含:
(A)含有高分子树脂的透光性支持层;及
(B)含有氧化铟的透光性导电层,
所述透光性导电层(B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上,其中,
由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08~5.00,
式中,α是由αmin+n×0.025°(n=1、2、3、···)表示的变量,
αmin是在0.100°以上的范围内,在薄膜法XRD测定中可确认到(222)面的峰的最小入射角,
α满足下式(I)及(II),
α≤0.600° ····(I)
f(α)≥0.7×f(α-0.025°)····(II)
Iaα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自聚酯的2θ=26°附近的峰强度,且,
Ibα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的(222)面的峰强度。
2.如权利要求1所述的透光性导电膜,其中,
所述透光性支持层(A)的厚度为20~200μm。
3.如权利要求1或2所述的透光性导电膜,其中,
所述高分子树脂为聚对苯二甲酸乙二醇脂或聚碳酸酯。
4.如权利要求1~3中任一项所述的透光性导电膜,其中,
透光性导电层(B)的厚度为15~30nm。
5.如权利要求1~4中任一项所述的透光性导电膜,其通过在大气中于90~160℃下加热10~120分钟而得到。
6.如权利要求1~5中任一项所述的透光性导电膜,其中,
透光性导电层(B)含有将3~10%的SnO2添加到氧化铟中而得到的氧化铟锡。
7.一种触摸板,其包含权利要求1~6中任一项所述的透光性导电膜。
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