[发明专利]透光性导电膜及含有透光性导电膜的触摸板

说明书

技术领域

本发明涉及透光性导电膜、其制造方法及其用途。

背景技术

作为搭载于触摸板的透光性导电膜，大多使用下述透光性导电膜，在由聚酯等构成的透光性支持层的至少一面直接或隔着其它层设置有含有氧化铟的透光性导电层。

将透光性导电膜成形为例如格子状等的电极(所谓形成图案)时，设置透光性导电膜后，通过化学药品处理仅将规定区域的膜去除，即进行所谓蚀刻处理，结果，形成希望形状的电极。因此，难以通过蚀刻处理进行蚀刻或容易过度蚀刻的透光性导电膜存在难以形成为希望形状的图案等问题。

因此，对于搭载于触摸板的透光性导电膜，要求容易通过蚀刻处理成形为希望的形状这一特性(所谓蚀刻性)优异的透光性导电膜。

迄今为止，尝试通过控制含有氧化铟的透光性导电层的结晶性，提供蚀刻性优异的透光性导电膜(专利文献1及2)。

专利文献1:日本特开2000-129427号公报

专利文献2:日本专利4269587号公报

发明内容

本发明的技术问题在于，提供一种具有优异蚀刻性的透光性导电膜，其含有(A)含有高分子树脂的透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层。

本发明人经反复潜心研究，首次发现在利用薄膜法的XRD测定中，聚酯的衍射强度和氧化铟的衍射强度表现出指定关系的透光性导电膜可以解决所述技术问题。本发明基于该新的见解，进一步通过反复进行各种研究而完成，下面阐述。

第一项：

一种透光性导电膜，包含：

(A)含有高分子树脂的透光性支持层；及

(B)含有氧化铟的透光性导电层，

所述透光性导电层(B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，

由(Ib_α－Ib_α－0.025°)/(Ia_α－Ia_α－0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00，

式中，α是由α_min+n×0.025°(n＝1、2、3、…)表示的变量，

α_min是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到(222)面的峰的最小入射角，

α满足下式(I)及(II)，

α≤0.600°····(I)

f(α)≥0.7×f(α－0.025°)····(II)

Ia_α是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自聚酯的2θ＝26°附近的峰强度，且，

Ib_α是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的(222)面的峰强度。

第二项：

如第一项所述的透光性导电膜，其中，所述透光性支持层(A)的厚度为20～200μm。

第三项：

如第一或第二项所述的透光性导电膜，其中，所述高分子树脂是聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯。

第四项：

如第一～第三项中任一项所述的透光性导电膜，其中，透光性导电层(B)的厚度为15～30nm。

第五项：

如第一～第四项中任一项所述的透光性导电膜，其通过在大气中于90～160℃下加热10～120分钟而得到。

第六项：

如第一～第五项中任一项所述的透光性导电膜，其中，透光性导电层(B)含有将3～10％的SnO₂添加到氧化铟中而得到的氧化铟锡。

第七项：

一种触摸板，其含有第一～第六项中任一项所述的透光性导电膜。

发明效果

根据本发明，可以提供一种具有优异的蚀刻性，且包含(A)透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。

附图说明

图1是表示在透光性支持层(A)的单面邻接设置有透光性导电层(B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；

图2是表示在透光性支持层(A)的两面邻接设置有透光性导电层(B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；

图3是将源自高分子树脂的衍射强度作为横轴，且将源自氧化铟的衍射强度作为纵轴时，分别对以相互相差0.025°的连续三种X射线入射角(α-0.025°、α°、α+0.025°)分别测定的源自高分子树脂的衍射强度Ia及源自氧化铟的衍射强度Ib进行标绘而得到的坐标图的一个例子；

图4是函数f(α)的坐标图的一个例子；