[发明专利]切割膜有效
| 申请号： | 201380036534.3 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104428873B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 织田直哉;长尾佳典 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割膜，其特征在于：
具有基材层和粘接层，
所述基材层的80℃时的断裂伸长率为750％以下，所述基材层的23℃时的断裂伸长率为200％以上，
构成所述基材层的树脂为低密度聚乙烯、或者聚苯乙烯与橡胶或弹性体的混合物。
2.如权利要求1所述的切割膜，其特征在于：
所述基材层的厚度为50～250μm。
3.如权利要求1或2所述的切割膜，其特征在于：
所述粘接层为包含橡胶类、有机硅类、丙烯酸类粘接剂中的任意一种以上的层。
4.如权利要求3所述的切割膜，其特征在于：
所述丙烯酸类粘接剂为具有极性基团的粘接剂。
5.如权利要求1或2所述的切割膜，其特征在于：
所述粘接层的厚度为3～40μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电木株式会社，未经住友电木株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380036534.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子部件收纳用容器以及电子装置
- 下一篇：电气模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
