[发明专利]切割膜

说明书

技术领域

本发明涉及切割膜。

背景技术

在制造半导体装置的工序中，在切断半导体晶片或封装等半导体部件时使用切割膜。切割膜用于粘贴半导体部件，进行切割(切断、单片化)，再对该切割膜进行扩展等，来拾取上述半导体晶片等。

一般而言，切割膜包括基材膜和粘接层。以往，作为基材膜大多使用聚氯乙烯(PVC)树脂膜。然而，由于防止由PVC树脂膜中含有的增塑剂附着所造成的半导体部件的污染和对环境问题的意识的提高，最近开发了使用烯烃类树脂、以及乙烯-乙烯醇类树脂和乙烯甲基丙烯酸丙烯酸酯类树脂等非PVC树脂类材料的基材膜(例如参照专利文献1)。

另外，近年来，在半导体部件的小型化和薄型化的发展中，产生了在切割膜的厚度精度存在偏差的情况下，在切割工序中切割刀片的接触的方式产生差别而容易发生半导体晶片破裂的问题。另外，当膜厚精度存在偏差时，还会发生产生半导体部件的切割残留或切割时的切屑和基材须(从基材膜的切割线延伸的须状的切割残渣)并附着于半导体器件的问题。特别是为了改善晶片的切片(chip)缺损，如果提高切割刀片的旋转速度，产生基材须的问题就会明显出现。另外，在粘贴半导体部件进行切割后，为了扩大半导体部件的间隔，进行切割膜的扩展，但是，如果基材没有充分的韧性，在扩展时还会发生切割膜断裂的问题。因此，要求有在切割时能够抑制基材须、并且在扩展时基材不断裂的切割膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003－257893

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的目的在于提供在制造半导体时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而且具有适合的扩展性的切割膜。

用于解决技术问题的方法

上述目的通过下述(1)～(6)所述的本发明达到。

(1)一种切割膜，其特征在于，具有基材层和粘接层，上述基材层的80℃时的断裂伸长率为750％以下。

(2)如上述(1)所述的切割膜，其中，上述基材层的23℃时的断裂伸长率为50％以上。

(3)如上述(1)或(2)所述的切割膜，其中，上述基材层的厚度为50～250μm。

(4)如上述(1)～(3)所述的切割膜，其中，上述粘接层为包含橡胶类、有机硅类、丙烯酸类粘接剂中的任意一种以上的层。

(5)如上述(1)～(4)中任一项所述的切割膜，其中，上述丙烯酸类粘接剂为具有极性基团的粘接剂。

(6)如上述(1)～(5)中任一项所述的切割膜，其中，上述粘接层的厚度为3～40μm。

发明的效果

根据本发明，能够提供在制造半导体时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而且具有适合的扩展性的切割膜。

附图说明

图1是表示本发明的切割膜的一个例子的概略截面图。

具体实施方式

参照图，详细地说明本发明的切割膜的一个例子。

本发明的切割膜10，如图1例示的那样，具有基材层1和粘接层2。

以下，依次说明切割膜10的各部分的构成。

＜基材层1＞

基材层1用于使晶片在搬运时稳定，以及用于在切割时切入到粘接剂层的下层，另外用于扩大在切割后的切片间隔。

基材层1的80℃时的断裂伸长率为750％以下。

在这里，切割膜在切割工序中，由于与切割刀片的摩擦热，而与切割刀片的接触部分被暴露于80℃以上的高温。在这样的高温状态中，基材层成为柔软、容易伸展的状态，切屑在切割刀片的旋转中被拉伸、伸长，这是切割工序中产生基材须的一个原因。

就该点而言，本发明的基材层1，通过在80℃时的断裂伸长率为750％以下，在高温状态中，不易成为柔软、容易伸展的状态，因此，能够抑制切割工序中产生须。

基材层1的80℃时的断裂伸长率只要为750％以下，就没有特别限定，优选为600％以下，更优选为400％以下。

另外，基材层1的23℃时的断裂伸长率优选为50％以上。

切割膜如果基材没有充分的韧性，有时就会发生在扩展时基材层断裂等问题的情况。对此，在本发明的切割膜中，通过基材层1在进行扩展工序的常温附近的23℃时的断裂伸长率为50％以上，在扩展时基材层1就变得不易断裂。

基材层1的23℃时的断裂伸长率只要为50％以上，就没有特别限定，优选为100％以上，更优选为200％以上。

由此，能够充分防止扩展时切割膜10的断裂。