[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

权利要求书

1.一种衬底处理装置，具有：

收容衬底的处理容器；

封闭所述处理容器的盖体；

向所述衬底供给反应物的供给部；

加热所述衬底的第1加热部；

加热在所述盖体附近流动的气体状态下的所述反应物的第2加热部；以及

加热所述盖体的发热体。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

所述第2加热部由电阻加热体和辐射加热体中的任一方或双方构成。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

所述第2加热部对由所述第1加热部加热的区域以外的区域进行加热。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

具有控制部，其控制所述第2加热部的温度和所述发热体的温度，以抑制在所述处理容器内的气体状态下的所述反应物的液化。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

所述处理容器是可收容多片所述衬底的反应管，

所述第2加热部至少设置在所述反应管下部的外侧。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

所述第2加热部设置在所述盖体的外侧。

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

所述盖体由导热性良好的非金属材料形成。

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

在所述盖体的上部设置有热传导体。

9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

在所述处理容器中设置第3加热部和状态转换部，

所述反应物在液体状态下被供给到所述处理容器内后，通过所述第3加热部和状态转换部而在所述处理容器内成为气体状态。

10.一种半导体器件的制造方法，具有：

利用第1加热部加热收容在处理容器内的衬底的工序；

向所述处理容器内供给反应物的工序；以及

利用第2加热部和发热体加热流经盖体附近的气体状态的反应物的工序，所述盖体封闭所述处理容器。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，

在向所述处理容器内供给反应物的工序中，包括：

向所述处理容器内供给液体状态的反应物，通过设置在所述处理容器中的第3加热部和状态转换部，使该反应物气化的工序。

12.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，

具有控制所述第2加热部和所述发热体，从而抑制所述反应物在所述处理容器内液化的工序。

13.一种记录介质，所述记录介质记录有使计算机执行如下步骤的程序，

利用第1加热部加热收容在处理容器内的衬底的步骤；

向所述处理容器内供给反应物的步骤；以及

利用第2加热部和发热体加热流经盖体附近的气体状态的反应物的步骤，所述盖体封闭所述处理容器。

14.根据权利要求13所述的记录介质，

在向所述处理容器内供给反应物的步骤中，包括：

向所述处理容器内供给液体状态的反应物，通过设置在所述处理容器中的第3加热部和状态转换部，使该反应物气化的步骤。

15.根据权利要求13所述的记录介质，

具有控制所述第2加热部和所述发热体，从而抑制所述反应物在所述处理容器内液化的步骤。