[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术

以往，作为例如DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)等半导体器件的制造工序的一个工序，有时会进行在被搬入了衬底的反应管内供给处理气体而在衬底的表面上形成氧化膜的工序。该工序通过如下的衬底处理装置来实施，所述衬底处理装置例如包括：收容衬底并进行处理的反应管；向反应管内的衬底供给使液体原料气化而成的处理气体的供给部；对收容在反应管内的衬底加热的加热部。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-86908

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述衬底处理装置中，有时会在反应管内产生用加热部难以加热的低温区域。当处理气体通过这样的低温区域时，处理气体有时会被冷却至低于气化点的温度而再液化。

本发明的目的在于提供一种能够抑制在反应管内的处理气体的再液化的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

用于解决问题的手段

根据本发明的一实施方式，提供一种衬底处理装置，

具有收容衬底的处理容器、封闭所述处理容器的盖体、向所述衬底供给反应物的供给部、加热所述衬底的第1加热部、加热在所述盖体附近流动的气体状态下的所述反应物的第2加热部以及加热所述盖体的发热体。

根据本发明的另一实施方式，提供一种半导体器件的制造方法，具有：

利用第1加热部加热收容在处理容器内的衬底的工序；向所述处理容器内供给反应物的工序；以及利用第2加热部和发热体加热流经盖体附近的气体状态的反应物的工序，所述盖体封闭所述处理容器。

根据本发明的又另一实施方式，记录有使计算机执行的程序的记录介质，所述程序具有：

利用第1加热部加热收容在处理容器内的衬底的步骤；向所述处理容器内供给反应物的步骤；以及利用第2加热部和发热体加热流经盖体附近的气体状态的反应物的步骤，所述盖体封闭所述处理容器。

发明的效果

根据本发明的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，能够使半导体器件的制造质量提高，并且提高制造生产率。

附图说明

图1是本发明一实施方式的衬底处理装置的概略结构图。

图2是本发明一实施方式的衬底处理装置具有的处理炉的纵剖面示意图。

图3是本发明一实施方式的炉口附近的概略结构图。

图4是本发明另一实施方式的炉口附近的概略结构图。

图5是本发明又一实施方式的炉口附近的概略结构图。

图6是本发明又一实施方式的炉口附近的概略结构图。

图7是本发明又一实施方式的炉口附近的概略结构图。

图8是本发明又一实施方式的炉口附近的概略结构图。

图9是在本发明的实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略结构图。

图10是表示本发明一实施方式的衬底处理工序的流程图。

图11是本发明的比较例的炉口附近的概略结构图。

具体实施方式

<本发明的一实施方式>

以下，参照附图说明本发明的一实施方式。

(1)衬底处理装置的结构

首先，主要使用图1和图2说明本实施方式的衬底处理装置的结构。图1是本实施方式的衬底处理装置的概略结构图，以纵剖面示出了处理炉202部分。图2是本实施方式的衬底处理装置具有的处理炉202的纵剖面示意图。在衬底处理装置中，例如进行用于制造半导体器件的一个工序。

(处理容器)

如图1所示，处理炉202包括作为处理容器的反应管203。反应管203例如由石英(SiO₂)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端和下端开口的圆筒状。在反应管203的筒中空部中形成处理室201，该处理室201被构成为，能以利用后述的晶舟217将作为衬底的晶片200以水平姿势沿垂直方向排列多层的状态收容所述晶片200。

在反应管203的下部，设置有作为可将反应管203的下端开口(炉口)气密地密封(封闭)的炉口盖体的密封盖219。密封盖219构成为从垂直方向下侧与反应管203的下端抵接。密封盖219形成为圆板状。