[发明专利]半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201380036862.3 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104428874B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 金民政;赵显珠;徐周用;李在官;金章淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 吕琳,刘明海 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 保护 粘结 及其 制备 方法 | ||
1.一种粘结膜，其特征在于，包括：
基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下，且延伸率为250％以上；以及
粘结层，其形成于所述基材膜上。
2.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，所述基材膜包含30～70重量％的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及30～70重量％的丙烯酸酯单体。
3.根据权利要求2所述的粘结膜，其特征在于，所述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物的重均分子量为5000～50000。
4.根据权利要求2所述的粘结膜，其特征在于，所述丙烯酸酯单体包含丙烯酸异冰片酯及丙烯酸-2-羟乙酯。
5.根据权利要求2所述的粘结膜，其特征在于，所述基材膜还包含0.01～5.0重量％的光引发剂。
6.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，所述基材膜的厚度为50～300μm。
7.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，所述粘结层包含硅酮类粘结剂、合成橡胶类粘合剂、天然橡胶类粘结剂或丙烯酸类粘结剂。
8.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，所述粘结层的厚度为0.5～50μm。
9.根据权利要求1所述的粘结膜，其特征在于，还包含形成于所述粘结层上的剥离膜。
10.一种粘结膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
制备包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯单体的组合物的步骤，
使所述组合物固化来形成基材膜的步骤，以及
在所述基材膜上形成粘结层的步骤；
其中，所述基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下，且延伸率为250％以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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