[发明专利]半导体晶元表面保护粘结膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体晶元(semiconductor wafer)表面保护粘结膜及其制备方法。更详细地涉及一种以将上述粘结膜附着于晶元之后切断时产生的毛刺(Burr)最小化为特征的粘结膜。

背景技术

最近，随着电子产品的小型化及轻量化等急剧变化，对半导体封装件的无铅(leadless)化、薄型化及芯片的高集成化的要求也逐渐增加。为了满足这种要求，同样，对上述半导体封装件所包括的晶元的大口径化及薄型化的要求也逐渐增加。

但是，随着大口径化，在背面磨削工序中频繁发生像晶元污染及龟裂一样的晶元的损坏，由此晶元加工用保护膜的作用尤为重要。

在韩国公开专利第10-2007-0019572号中提供了一种粘结片，对由丙烯酸(acrylate)类聚合物形成的中间层的初始弹性模量及损耗角正切、凝胶含量等进行限定，即使晶元表面的凹凸的高低差大，也可以适从其凹凸，但是，在工序过程中仍存在切断晶元时切断性明显变差的问题。像这样，在保护膜的切断性下降的情况下，在半导体加工工序过程中，因膜的切断不良而导致只能不连续地进行半导体加工工序，致使工序的有效性下降，当前，持续地对此进行研究。

发明内容

本发明要解决的技术问题

为了解决上述问题，本发明涉及一种半导体晶元表面保护粘结膜，其目的在于，调节粘结膜所包含的基材膜的弹性和韧性，在将粘结膜接合于半导体晶元表面并切断时，将粘结膜的切断碎屑的产生最小化。

技术方案

为了达成上述目的，本发明提供一种粘结膜，其特征在于，包括：基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上；以及粘结层，形成于上述基材膜上。

并且，为了达成本发明的另一目的，本发明提供一种粘结膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物(Urethane acrylate oligomer)及丙烯酸酯单体的组合物的步骤，使上述组合物固化来形成基材膜的步骤，以及在上述基材膜上形成粘结层的步骤；上述基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上。

有益效果

在半导体制备工序中，通过使用切断性及附着性卓越且缓冲性优秀的本发明的粘结膜，在晶元背面磨削等半导体制备工序中能够显著提高生产效率。

并且，通过使用利用本发明的制备方法来生产的粘结膜，在晶元附着上述粘结膜并切断时，膜中不产生异物，并且由于切断面干净，能够将毛刺(Burr)的产生最小化。

附图说明

图1示出了本发明的一实施例的粘结膜的剖视图。

图2示出了本发明的一实施例的包括剥离膜的粘结膜的剖视图。

图3示出了从基材膜的拉伸实验中得到的拉伸曲线(elongation graph)。

具体实施方式

参照后面要说明的实施例会让本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法更加明确。但是，本发明并不局限于以下所公开的实施例，能够以互不相同的各种方式实施，本实施例只用于使本发明的公开内容更加完整，有助于本发明所属技术领域的普通技术人员完整地理解发明的范畴，本发明根据发明要求保护范围的范畴而定义。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的结构要素。

下面，对本发明进行详细的说明。

粘结膜

本发明提供一种粘结膜，其特征在于，包括：基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上；以及粘结层，形成于上述基材膜上。

屈服强度表示在基材膜的拉伸试验中得到的拉伸曲线中从弹性区域到塑性区域的转折点上的力，以屈服强度为基准，将从拉伸长度0到屈服强度的拉伸曲线积分面积称为拉伸弹性区域面积，将从屈服强度到规定拉伸长度的拉伸曲线积分面积称为拉伸塑性区域面积。此时，弹性区域表示在向物质施加载荷的过程中除去载荷的情况下物质可恢复到初始状态的区域，与弹性区域相反，塑性区域表示即使除去载荷物质也无法回到原来状态的区域。