[发明专利]MAZ型沸石的制造方法在审
| 申请号： | 201380037097.7 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104428248A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 板桥庆治;大久保达也;小川灯;S·P·爱兰格瓦 | 申请（专利权）人： | UniZeo株式会社;国立大学法人东京大学 |
| 主分类号： | C01B39/34 | 分类号： | C01B39/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京文京区本乡七丁*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | maz 型沸石 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MAZ型沸石的制造方法，其特征在于：
(1)以成为以下所示的摩尔比所表示的组成的反应混合物的方式，将二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水混合，
SiO2/Al2O3＝24～60
(Na2O+K2O)/SiO2＝0.25～0.5
K2O/(Na2O+K2O)＝0.1～0.5
H2O/SiO2＝5～50：
(2)使用SiO2/Al2O3比为5～10、且平均粒径为0.1μm以上的不含有机化合物的MAZ型沸石作为晶种，将所述MAZ型沸石以相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分而为0.1重量％～30重量％的比例添加到所述反应混合物中；
(3)将添加了所述晶种的所述反应混合物在80℃～200℃下在密闭环境下加热。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中将不含所述晶种的所述反应混合物在密闭环境下在80℃～200℃的温度下进行预加热后，将所述晶种添加到所述反应混合物中，进一步将所述反应混合物在80℃～200℃的温度下在密闭环境下加热。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中在密闭环境下进行加热的工序中搅拌所述反应混合物。
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