[发明专利]MAZ型沸石的制造方法在审

专利信息
申请号: 201380037097.7 申请日: 2013-07-16
公开(公告)号: CN104428248A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 板桥庆治;大久保达也;小川灯;S·P·爱兰格瓦 申请(专利权)人: UniZeo株式会社;国立大学法人东京大学
主分类号: C01B39/34 分类号: C01B39/34
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 日本东京文京区本乡七丁*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: maz 型沸石 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种通过添加不含有机化合物的MAZ型沸石作为晶种,而由不使用有机化合物的反应混合物来制造MAZ型沸石的方法。

背景技术

合成沸石为结晶性铝硅酸盐,具有由其结晶结构所引起的埃尺寸的均匀的细孔。合成沸石发挥该特征而可以在工业上用作仅吸附具有特定大小的分子的分子筛吸附剂或吸附亲和力强的分子的吸附分离剂、或催化剂基剂。

此外所谓MAZ,是表示沸石ω(zeolite omega)所属的骨架结构种类的名称。MAZ型沸石为具备具有12元环及8元环的大细孔的沸石,氨的吸附能力高,另外也有望作为正己烷的异构化活性催化剂。以前,MAZ型沸石仅是通过用作四甲基铵离子等有机结构导向剂(Organic Structure Directing Agent,以下简称为“OSDA”)的方法来制造(参照专利文献1及专利文献2以及非专利文献1及非专利文献2)。因此一般认为,为了获得MAZ型沸石,必须使用OSDA。另外一般认为,因所合成的MAZ型沸石含有OSDA,因此也不可避免在其使用前进行煅烧来将OSDA除去而加以使用。

MAZ型沸石的合成法例如像上文所述的专利文献1及专利文献2以及非专利文献1及非专利文献2所记载那样,通常的方法为在钠离子或钾离子的共存下,使用四甲基铵离子作为OSDA的方法。但是,所述OSDA价格昂贵,因此在工业上使用时不可谓有利。另外,所生成的沸石的结晶中混入有OSDA,因此在使用该沸石作为吸附剂或催化剂的情况下,必须对该沸石进行煅烧而将OSDA除去。此时所产生的废气导致环境污染,另外为了对含有OSDA的分解产物的合成母液进行无害化处理,也必需大量的化学剂。如此,使用OSDA的MAZ型沸石的合成方法为不仅价格昂贵、而且环境负荷大的制造方法。因此,期望实现不使用OSDA的制造方法及通过该方法所得的本质上不含有机物的MAZ型沸石。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:美国专利第4021447号说明书

专利文献2:美国专利第4503023号说明书

非专利文献

非专利文献1:《微孔与介孔材料(Microporous and Mesoporous Materials)》,35,555~572,2000

非专利文献2:《微孔与介孔材料(Microporous and Mesoporous Materials)》,63,33~42,2003

发明内容

发明所欲解决的课题

本发明的课题在于提供一种本质上不含有机物的MAZ型沸石的制造方法,即,消除上文所述的现有技术所具有的缺点且可以尽可能地减小环境负荷、不使用OSDA、且可以廉价地制造MAZ型沸石的方法。

解决课题的手段

本发明提供一种MAZ型沸石的制造方法,其中:

(1)以成为以下所示的摩尔比所表示的组成的反应混合物的方式,将二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水混合,

SiO2/Al2O3=24~60

(Na2O+K2O)/SiO2=0.25~0.5

K2O/(Na2O+K2O)=0.1~0.5

H2O/SiO2=5~50;

(2)使用SiO2/Al2O3比为5~10、且平均粒径为0.1μm以上的不含有机化合物的MAZ型沸石作为晶种,将所述MAZ型沸石以相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分而为0.1重量%~30重量%的比例添加到所述反应混合物中;

(3)将添加了所述晶种的所述反应混合物在80℃~200℃下在密闭环境下加热。

发明的效果

根据本发明,通过添加不含有机物的MAZ型沸石作为晶种,可以由不使用OSDA的反应混合物来制造MAZ型沸石,因此所得的MAZ型沸石本质上不含有机物。因此,该MAZ型沸石不仅在其使用前无需煅烧处理,而且即便进行脱水处理也不产生有机物,因此无需废气处理,环境负荷小,且可以廉价地制造MAZ型沸石。

附图说明

图1为关于实施例1中所用的MAZ型沸石的晶种的X射线衍射图。

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