[发明专利]粗糙化的基板支撑件

说明书

发明的背景

技术领域

本发明的实施例一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。

相关技术的描述

等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)一般是用于沉积薄膜于一基板上，例如是平板或是半导体晶圆。PECVD通常是通过导入一前驱气体(precursor gas)至包含一基板的一真空腔体内来完成。前驱气体一般是导引通过一分布板，此分布板靠近腔体的顶部。在腔体内的前驱气体通过从一或多个射频(RF)源提供RF电力至腔体来提供能量(例如是激发(excited))而成为等离子体，RF源耦接于腔体。激发气体反应而形成一材料层于基板的一表面上，所述基板摆置于一温度控制基板支撑件上。

在处理期间，可能对装置的制造造成不利的小部分的膜厚变化已观察出来，所述小部分的膜厚变化时常以成为较薄的膜厚的点(spots)的方式显现。一般认为，沿着一平滑基板支撑表面，在玻璃的厚度及平坦度的变化是在跨基板的特定位置产生局部电容变化，因而产生了局部的等离子体不均匀性，所述离子体不均匀性导致沉积变化，例如是薄点。

因此，对基板支撑件做改善是有需要的。

发明内容

本发明一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。一粗糙化的基板支撑件是减少在腔体内的电弧且亦提供均匀沉积于基板上。粗糙化可以两个步骤执行。于一第一步骤中，基板支撑件进行喷珠以初步地粗糙化表面。接着，粗糙化的表面以较细的磨粒进行喷珠，以产生一具有介于约707微英寸及约837微英寸间的表面粗糙度的基板支撑件。在表面粗糙化之后，基板支撑件进行阳极处理。

于一个实施例中，一种形成一粗糙化的基板支撑件的方法，包括于一第一工艺中对一基板支撑件的一表面进行喷珠，其中此些珠体具有一第一磨粒(grit)尺寸；以及于一第二工艺中对基板支撑件的表面进行喷珠，其中此些珠体具有一第二磨粒尺寸，所述第二磨粒尺寸小于第一磨粒尺寸。

于另一实施例中，一种形成一粗糙化的基板支撑件的方法，包括于一第一工艺中对一基板支撑件的一表面进行喷珠。第一工艺包括于一第一方向中使喷嘴扫描过基板支撑件的表面；沿着基板支撑件的表面转换喷嘴于一第二方向中，第二方向垂直于第一方向；以及于一第三方向中使喷嘴扫描过基板支撑件的表面，第三方向相反于第一方向。此方法更包括于一第二工艺中对基板支撑件的表面进行喷珠。第二工艺包括于第一方向中使喷嘴第一次扫描过基板支撑件的表面；沿着基板支撑件的表面转换喷嘴于第二方向中；于第三方向中使喷嘴第二次扫描过基板支撑件的表面；逆时针转动基板支撑件约90度；以及重复第一次扫描、转换、第二次扫描及转动。

于另一实施例中，一种基板支撑件包括一基板支撑件主体，具有一表面粗糙度，此表面粗糙度介于约707微英寸及约834微英寸之间；以及一阳极处理涂布层，位于基板支撑件上。

附图说明

为了可详细地了解本发明上述的特性，简要摘录于上的本发明的更特有的说明可参照实施例。一些实施例是绘示于所附的附图中。然而，值得注意的是，由于本发明可承认其他等效实施例，所附的附图仅为本发明的代表性实施例，因此并非用以限制本发明的范围。

图1绘示根据本发明的一个实施例的PECVD设备的剖面图。

图2绘示根据一个实施例的基板支撑件的局部剖面图。

图3A绘示根据一个实施例的基板支撑件在粗糙化的第一步骤后的示意性剖面图。

图3B绘示根据一个实施例的图3A的基板支撑件在粗糙化的第二步骤后的示意性剖面图。

图4绘示根据一个实施例的粗糙化机相对于基板支撑件的示意图。

图5A绘示根据一个实施例的在基板支撑件于第一步骤中进行粗糙化的示意图。

图5B-5E绘示根据一个实施例的图5A的基板支撑件于第二步骤中进行粗糙化的示意图。

为了便于了解，在可行之处，相同的参考编号是使用来表示通用于附图的相同的元件。可预期的是，揭露于一个实施例中的元件可在无需特别说明的情况下，有助益地使用于其他实施例中。

具体实施方式