[发明专利]用于辐射基片的装置有效
申请号: | 201380038694.1 | 申请日: | 2013-07-17 |
公开(公告)号: | CN104620367B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | S.利诺夫;L.冯里维尔 | 申请(专利权)人: | 贺利氏特种光源有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杨国治;宣力伟 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 辐射 装置 | ||
用于辐射基片的已知的装置具有壳体以及在壳体内部具有用于有待辐射的基片的带有圆形辐射面的容纳部以及用于产生光辐射的具有布置在平行于辐射面延伸的弯曲平面中的带有辐射管端部的第一辐射管的第一辐射器,其中容纳部和第一辐射器可以相对于彼此运动。在该装置中,所述辐射面包括半圆形的第一部分面和半圆形的第二部分面。为了由此出发说明一种用于辐射基片的装置,该装置实现了基片的旋转对称均匀的温度分布并且还需要极少的结构以及控制技术的花费,按本发明提出,所述第一辐射管具有弯曲的照射长度段,该照射长度段在弯曲平面内以镜像对称的椭圆形的基本形状延伸,其中,第一照射长度段基本上配属于所述半圆形的部分面之一。
技术领域
本发明涉及一种用于辐射基片的装置,所述装置具有壳体并且在壳体内部具有用于有待辐射的基片的容纳部,该容纳部具有圆形的、包括半圆形的第一部分面和半圆形的第二部分面的辐射面,所述装置还具有用于产生光辐射的第一辐射器,所述第一辐射器具有布置在平行于辐射面延伸的弯曲平面中的带有辐射管端部的第一辐射管,通过该辐射管端部引导供电装置,其中所述容纳部和第一辐射器能够相对于彼此运动。
此外,本发明涉及将按本发明的装置用于辐射基片的应用。
本发明还涉及一种用于产生光辐射的辐射器,所述辐射器具有在弯曲平面中弯曲的带有辐射管端部的辐射管,通过该辐射管端部引导供电装置,其中辐射管包括多个弯曲的分别带有弯曲半径的弯曲段。
这种装置或者说辐射器例如用于干燥颜料以及油漆、用于时效硬化涂层、用于加热食物产品或者用于处理半导体盘。
背景技术
已知的用于辐射和/或热处理基片的装置包括处理腔室,在该处理腔室内部布置了用于有待辐射的基片的容纳部以及至少一个光学的辐射器例如红外辐射器。通常对于处理结果来说,基片表面的均匀辐射或者基片内部均匀的温度分布是有意义的。因此,基片表面的均匀辐射原则上是值得希望的,如果这样已经能够实现均匀的温度分布的话。然而由处理引起或者由几何形状引起地、例如由于溶剂的蒸发、径向区域的遮蔽、处理气体流动,也可以通过基片的径向不均匀的辐射实现基片内部的均匀的温度分布。
例如由DE 100 51 125 A1公开了开头所述类型的辐射装置。其中公开的用于半导体晶片的快速加热设备具有用于基片的带有圆形辐射面的可旋转地得到支承的容纳部以及多个带有线性柱形拉伸的由石英玻璃制成的辐射管的红外辐射器。为了尤其在旋转的基片中确保均匀的辐射分布,在快速加热设备中相互平行并排地布置了多个光学的辐射器;其整体形成了表面辐射器。此外为了确保基片的全面均匀的辐射,所述红外辐射器布置在两个辐射平面中,也就是布置在辐射面的上方和下方。
由红外辐射器的面状排列引起了关于有待辐射的表面在辐射装置中设置了大量红外辐射器。该辐射装置还具有每单位面积较高的辐射功率。为了实现加热功率的均匀分布,必须相互调整红外辐射器的加热功率。这尤其适合于辐射面的边缘区域。因此,具有线性拉伸的红外辐射器的面状的排列的辐射装置不仅结构复杂,而且在控制技术方面也麻烦。
此外,除了具有线性的柱形拉伸的辐射管的辐射器之外,现有技术也公开了具有圆形弯曲的辐射管的辐射器。DE 88 02 042 U1教导了一种具有在一个平面中多次弯曲的带有圆形基本形状的辐射管的红外辐射源。该圆形辐射器例如适合用于加热灶台或者用于加热管表面。
由JP 63-222 430 A公开了一种用于辐射晶片的装置,其中平行于辐射平面成对地布置了多个带有半圆形辐射管的辐射器,使得其围绕辐射平面的中点以同心圆延伸。
由DE 18 15 946 A教导了一种带有辐射管的荧光物质管,其具有在弯曲平面内椭圆形弯曲的照射长度段。
发明内容
因此,本发明的任务是说明一种用于辐射基片的装置,其在结构花费以及控制技术花费尽可能小的情况下实现了基片的旋转对称均匀的温度分布。
此外,本发明的任务是说明一种按本发明的装置的合适的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造