[发明专利]半导体晶圆输送器具

说明书

技术领域

本发明为在半导体制造工序中用于输送半导体晶圆的输送器具，特别涉及一种在加热时能够对半导体晶圆进行均匀加热的半导体晶圆输送器具。

背景技术

以往以来，在半导体制造工序的半导体晶圆的热处理工序、输送线中，为了移送、输送较多数量的半导体晶圆，应用有专用的输送器具。

对于作为输送对象的半导体晶圆的尺寸，存在各个晶圆的尺寸不同的情况。因此，为了省略每次输送对象的尺寸变化都要更换输送器具的工序，公知有利用一种输送器具能够应对多个尺寸的晶圆输送的输送器具(参照专利文献1和专利文献2)。

在专利文献1中，公开有一种根据所输送的半导体晶圆的直径的大小来将保持销固定在相对应的固定孔内、从而能够应对多个尺寸的晶圆输送的晶圆叉(日文：ウエハフォーク)。另外，在专利文献2中公开有一种能够应对多个尺寸的晶圆输送的晶圆保持台。采用该晶圆保持台，通过利用垂直缸和水平缸进行上下移动和水平移动的输送梁来输送半导体晶圆W。为所谓的步进梁方式的半导体晶圆保持台。相关于此，输送的高度为至少两种高度，相同的高度的销配置在同一圆周上，且以按照高度的顺序外侧升高的方式以同心圆状配置。支承于与晶圆的大小相对应的高度的销的晶圆与接下来较高的销相接触而被定位。

另外，作为能够应对多个尺寸的晶圆输送的晶圆输送的其他的例子，存在图5所示的例子。该图5所示的晶圆输送器具200的底板10和输送引导件11利用螺栓14等接合。在底板10的中心部存在外径小于晶圆W3(W4)的直径的开口部15。在底板10上配设有用于以同心圆状自晶圆W3(W4)的下方保持晶圆W3(W4)的销16A～16C、18A～18C、以及防止晶圆W3(W4)的位置偏移的引导件17A～17C、19A～19C。引导件17A～17C、19A～19C相对于晶圆W3(W4)分别设有三个，而共计设有三组，利用未图示的输送装置沿箭头方向进行输送。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平06－151550号公报

专利文献2：日本实开昭62－26037号公报

发明要解决的问题

然而，采用专利文献1中公开的晶圆叉、专利文献2中公开的晶圆保持台以及图5所示的以往例中的晶圆输送器具，存在以下这样的问题。在对晶圆进行加热时，在晶圆的表面与晶圆叉、晶圆保持台、输送器具相接触的部分中，热量会被晶圆叉、晶圆保持台、输送器具吸收。其结果，担心相比于晶圆的未与晶圆叉、晶圆保持台、输送器具相接触的其他部位、热传递变差。

在对半导体晶圆进行的热传递劣化的情况下，产生在晶圆表面的温度分布中温度低于其他部位的温度的部分即低温部，而额外地需要对半导体晶圆进行加热的加热量。由此，能量效率变差，另外，为了使低温部达到必要温度而进行加热的结果是，导致除低温部以外的被过度加热的部分破损，而引起多余的成本、不良。

发明内容

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，技术方案1的半导体晶圆输送器具为一种对规定大小的半导体晶圆进行保持且进行输送的晶圆输送器具，其特征在于，该半导体晶圆输送器具包括：主体构件，其设有口径大于上述半导体晶圆的直径的开口部；和支承构件，其至少为三个，具有规定的长度且具有与上述半导体晶圆的直径相对应地配置的多个销构件，而且，该支承构件构成用于在上述主体构件自上述开口部的内缘部位突出的位置将半导体晶圆以同心圆状保持的保持机构。根据技术方案1的半导体晶圆输送器具，设于输送器具的开口部大于半导体晶圆的直径，因此，该晶圆不会被输送器具主体覆盖。

根据技术方案1，技术方案2的半导体晶圆输送器具的特征在于，对应每一个上述销配置有一个以上高度高于上述销的高度的晶圆位置偏移防止引导件，该晶圆位置偏移防止引导件呈同心圆状设置。

根据技术方案2，技术方案3的半导体晶圆输送器具的特征在于，上述销的高度为至少两种高度，高度相同的销配置在同一圆周上，且以高度自输送器具的中心朝向外侧依次升高的方式以同心圆状配置上述销。

根据技术方案1，技术方案4的半导体晶圆输送器具的特征在于，上述位置调整机构由支承板、保持销以及晶圆位置偏移防止引导件构成，该支承板自上述开口部的中心以放射状配置；该保持销用于在上述支承板上自上述半导体晶圆的下方保持上述半导体晶圆；该晶圆位置偏移防止引导件在上述支承板上位于比该保持销靠外侧的位置且高度高于上述保持销的高度。