[发明专利]等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，是在等离子体处理空间中在具有绝缘膜和含钛物的掩蔽膜的被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，包括：

第一工序，对所述等离子体处理空间供给第一含氟气体，以所述含钛物的掩蔽膜作为掩模而使用所述第一含氟气体的等离子体对所述绝缘膜进行蚀刻，以使得由所述绝缘膜生成的含碳物和由所述掩蔽膜生成的含钛物附着在所述等离子体处理空间内的部件上；

第二工序，对所述等离子体处理空间供给O₂气体，使用所述O₂气体的等离子体除去所述含碳物，以使附着在所述部件上的含钛物露出；和

第三工序，在所述第二工序后，对所述等离子体处理空间供给含氮气体和第二含氟气体，使用所述含氮气体和所述第二含氟气体的等离子体，除去附着在所述部件上而露出的含钛物。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述所述第一工序后至少反复实施两次所述第二工序和所述第三工序。

3.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述含氮气体为N₂气体和NF₃气体的至少一者，所述第二含氟气体为CF₄气体、C₄F₈气体和CHF₃气体中的至少一者。

4.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述含钛物是TiN。

5.一种等离子体处理方法，是在等离子体处理空间中在具有绝缘膜和含钛物的掩蔽膜的被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，包括：

在所述等离子体处理空间准备所述被处理基板的准备工序；

第一工序，对所述等离子体处理空间供给第一含氟气体，以所述含钛物的掩蔽膜作为掩模而使用所述第一含氟气体的等离子体对所述绝缘膜进行蚀刻，以使得由所述绝缘膜生成的含碳物和由所述掩蔽膜生成的含钛物附着在所述等离子体处理空间内的部件上；

第二工序，对所述等离子体处理空间供给含氮气体和第二含氟气体，使用所述含氮气体和所述第二含氟气体的等离子体，除去附着在所述部件上的含钛物；和

第三工序，在所述第二工序之后，对所述等离子体处理空间供给O₂气体，使用所述O₂气体的等离子体除去所述含碳物第三工序。

6.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述含钛物是TiN。

7.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于：

实施了至少反复实施两次所述第二工序和所述第三工序。

8.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述含氮气体为N₂气体和NF₃气体的至少一者，所述第二含氟气体为CF₄气体、C₄F₈气体和CHF₃气体中的至少一者。

9.一种等离子体处理方法，是在等离子体处理空间中在具有绝缘膜和含钛物的掩蔽膜的被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，包括：

第一工序，对所述等离子体处理空间供给第一含氟气体，以所述含钛物的掩蔽膜作为掩模而使用所述第一含氟气体的等离子体对所述绝缘膜进行蚀刻，以使得由所述绝缘膜生成的含碳物和由所述掩蔽膜生成的含钛物附着在所述等离子体处理空间内的部件上；

第二工序，在所述第一工序之后对所述等离子体处理空间供给O₂气体，使用所述O₂气体的等离子体除去所述含碳物，以使附着在所述部件上的含钛物露出；

第三工序，在所述第二工序之后对所述等离子体处理空间供给第二含氟气体，使用所述第二含氟气体的等离子体除去附着在所述部件上而露出的含钛物；和

第四工序，在所述第三工序之后对所述等离子体处理空间供给含氮气体和第三含氟气体，使用所述含氮气体和所述第三含氟气体的等离子体，除去附着在所述部件上的含钛物。

10.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述含钛物是TiN。

11.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述含氮气体为N₂气体和NF₃气体的至少一者，所述第二含氟气体和所述第三含氟气体为CF₄气体、C₄F₈气体和CHF₃气体中的至少一者。