[发明专利]宽带隙半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201380040316.7 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104508824A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;增田健良;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种宽带隙半导体器件，包括：
衬底，所述衬底由宽带隙半导体材料形成，具有主面，并且包括第一导电类型区和第二导电类型区，以及
邻接所述衬底的所述主面布置的肖特基电极，
所述衬底具有形成的沟槽，所述沟槽包括与所述主面接续的侧面以及与所述侧面接续的底部，
所述肖特基电极在所述沟槽的所述侧面以及所述主面处邻接所述第一导电类型区，并且在所述沟槽的所述底部处邻接所述第二导电类型区，
所述沟槽的所述侧面相对于所述衬底的所述主面倾斜。
2.根据权利要求1所述的宽带隙半导体器件，其中所述宽带隙半导体材料包括碳化硅。
3.根据权利要求1或2所述的宽带隙半导体器件，其中所述主面相对于所述侧面的角度大于或等于50°且小于或等于85°。
4.根据权利要求1－3中的任一项所述的宽带隙半导体器件，其中
所述沟槽包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽，
所述第二导电类型区包括邻接所述第一沟槽的底部的第一第二导电类型区，邻接所述第二沟槽的底部的第二第二导电类型区，以及布置在所述第一第二导电类型区和所述第二第二导电类型区之间的第三第二导电类型区。
5.根据权利要求1－4中的任一项所述的宽带隙半导体器件，其中所述衬底包括邻接所述肖特基电极的外周的第四第二导电类型区。
6.一种制造宽带隙半导体器件的方法，包括以下步骤：
制备衬底，所述衬底由宽带隙半导体材料形成，具有主面，并且包括第一导电类型区和第二导电类型区，
在所述衬底的所述主面处形成沟槽，所述沟槽具有与所述主面接续的侧面以及与所述侧面接续的底部，以及
形成肖特基电极，所述肖特基电极在所述衬底的所述主面以及所述沟槽的所述侧面处邻接所述第一导电类型区，并且在所述沟槽的所述底部处邻接所述第二导电类型区，
在形成沟槽的所述步骤中，所述沟槽的所述侧面形成为相对于所述衬底的所述主面倾斜。
7.根据权利要求6所述的制造宽带隙半导体器件的方法，其中通过热蚀刻执行形成沟槽的所述步骤。
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