[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造碳化硅半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

准备碳化硅衬底的步骤，所述碳化硅衬底包含：具有第一导电类型的第一层；设置在所述第一层上并具有第二导电类型的第二层；以及设置在所述第二层上、通过所述第二层与所述第一层隔开并具有所述第一导电类型的第三层；

在所述碳化硅衬底中形成沟槽的步骤，所述沟槽具有侧壁和底部，所述侧壁延伸穿过所述第三层和所述第二层并到达所述第一层，所述底部由所述第一层形成；

形成沟槽绝缘膜以覆盖各个所述底部和所述侧壁的步骤；

形成硅膜以填充所述沟槽的步骤，在所述硅膜和所述沟槽之间设有所述沟槽绝缘膜；

对所述硅膜进行部分腐蚀，从而将覆盖所述侧壁上的所述第二层的所述沟槽绝缘膜的一部分露出，以及将设置在所述底部上的所述硅膜的一部分保留的步骤，在所述底部和所述硅膜的一部分之间设有所述沟槽绝缘膜；

在对所述硅膜进行部分腐蚀的步骤之后，通过将覆盖所述侧壁上的所述第二层的所述沟槽绝缘膜的一部分移除，使所述侧壁上的所述第二层露出的步骤；

在使所述第二层露出的步骤之后，通过将所述硅膜氧化来形成底部绝缘膜的步骤；

在使所述第二层露出的步骤之后，形成侧壁绝缘膜以覆盖所述侧壁上的所述第二层的步骤；以及

在所述侧壁上形成栅电极的步骤，在所述侧壁和所述栅电极之间设有所述侧壁绝缘膜。

2.根据权利要求1的制造碳化硅半导体器件的方法，其中通过热氧化来实施所述形成侧壁绝缘膜的步骤。

3.根据权利要求1或2的制造碳化硅半导体器件的方法，其中通过热氧化来实施所述形成沟槽绝缘膜的步骤。

4.根据权利要求1～3中任一项的制造碳化硅半导体器件的方法，其中所述对所述硅膜进行部分腐蚀的步骤包括：实施具有物理腐蚀效果的腐蚀的步骤。

5.根据权利要求1～4中任一项的制造碳化硅半导体器件的方法，在所述对所述硅膜进行部分腐蚀的步骤之前，还包括：使所述硅膜变平的步骤。

6.根据权利要求1～5中任一项的制造碳化硅半导体器件的方法，其中所述形成底部绝缘膜的步骤包括：通过在不低于900℃且不超过1100℃下对硅进行热氧化而将所述硅膜完全氧化的步骤。

7.根据权利要求1～6中任一项的制造碳化硅半导体器件的方法，其中所述形成侧壁绝缘膜的步骤包括：对所述碳化硅衬底进行加热以将所述碳化硅衬底热氧化的步骤，所述对所述碳化硅衬底进行加热的步骤包括：在升高所述碳化硅衬底的温度的同时将氧气供应至所述碳化硅衬底的步骤。

8.根据权利要求1～7中任一项的制造碳化硅半导体器件的方法，其中所述对所述硅膜进行部分腐蚀的步骤包括：使用含六氟化硫的气体实施干法腐蚀的步骤。

9.根据权利要求1～8中任一项的制造碳化硅半导体器件的方法，其中实施所述对所述硅膜进行部分腐蚀的步骤以提供厚度小于300nm的所述硅膜。