[发明专利]加工柔性玻璃基片有效
申请号: | 201380041476.3 | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN104685627B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | S·M·加纳;R·G·曼利 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;B32B7/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 郭辉,沙永生 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 柔性 玻璃 | ||
本申请根据35U.S.C.§119要求2012年8月22日提交的美国临时申请系列号61/691904的优先权,本文以该申请的内容为基础并通过参考将其完整地结合于此。
技术领域
本发明涉及用于加工在载体基片上的薄的基片的设备和方法,具体来说,涉及在载体基片上的柔性玻璃的薄的基片。
背景
当今,柔性塑料膜常常用于与PV,OLED,LCDs,触摸传感器,柔性电子和图案化薄膜晶体管(TFT)应用相关的柔性电子器件中。
与柔性塑料技术相比,柔性玻璃基片提供多种技术优势。一种技术优势是玻璃能用作水分和气体阻挡层,它是OLED显示器、OLED照明和有机光伏器件中的主要降解机理。第二个技术优势是它通过减少或消除一种或更多种包装基片层,潜在地降低总包装大小(厚度)和重量。柔性玻璃基片的气体优势包括在光学透射率、尺寸稳定性、热容和表面质量方面的益处。
因为电子显示器工业需要更薄/柔性的玻璃基片(小于0.3毫米厚),面板制造商面临许多挑战来加工适应更薄/柔性玻璃基片。一种选择是加工较厚的玻璃板,然后蚀刻或抛光该面板到更薄的总体净厚度。这使得能用基于0.3毫米厚或更厚基片的现有的面板制造基础设施,但增加了加工结束时的精磨成本以及地降低产率。第二种方法是再次改造现有的面板工艺用于更薄的基片。工艺中的玻璃损失是主要的困扰,且需要大量资金来将在基于非支撑的柔性玻璃基片的板-对-板工艺中的加工损失降到最低。第三种方法是使用卷-对-卷工艺技术或基于辊加工的技术用于薄的柔性玻璃基片。
本领域需要的是一种载体方法,其利用制造商的基于0.3毫米或更厚的刚性基片的现有的资金基础设施,并使得能加工薄的、柔性玻璃基片即玻璃的厚度不大于约0.3毫米厚。
概述
本发明的概念涉及使用无机粘合层将薄的板例如柔性玻璃基片粘合到载体基片,该无机粘合层在接收能量输入例如热能之后改变结构。结构改变降低无机粘合层的粘合强度,用于将柔性玻璃基片从载体基片分离。
本发明的方法的商业化优势之一是制造商将能使用它们现有的在加工设备中资金投入,同时获得用于例如PV,OLED,LCDs,触摸传感器,柔性电子和图案化薄膜晶体管(TFT)电子的薄的玻璃板的益处。
根据第一方面,一种加工柔性玻璃基片的方法包括:
提供基片堆叠件,其包括使用无机粘合层粘合到载体基片的柔性玻璃基片,该无机粘合层在接收能量输入后发生结构改变;以及
将能量输入提供给无机粘合层用于引发结构改变,这种结构改变降低无机粘合层的粘合强度,用于将柔性玻璃基片从载体基片分离。
根据第二方面,提供了第一方面所述的方法,其中所述能量输入是热能,所述方法包括将所述粘合材料加热到至少约250℃的温度。
根据第三方面,提供了第一或第二方面所述的方法,其中所述能量输入是光能,其导致将所述粘合材料加热到至少约250℃的温度。
根据第四方面,提供如第一到第三方面中任一项所述的方法,其中所述无机粘合层包括沿着柔性玻璃基片的周边设置的无机粘合材料。
根据第五方面,提供如第一到第四方面中任一项所述的方法,其中使用激光器局部加热所述无机粘合层。
根据第六方面,提供如第一到第五方面中任一项所述的方法,其中所述结构改变包括结晶。
根据第七方面,提供如第一到第六方面中任一项所述的方法,其中所述结构改变包括增加所述无机粘合层的孔隙率。
根据第八方面,提供如第一到第七方面中任一项所述的方法,其中所述结构改变包括增加所述无机粘合层的微观裂纹。
根据第九方面,提供如第一到第八方面中任一项所述的方法,还包括在将能量输入提供给所述无机粘合层之后,将柔性玻璃基片从载体基片去除。
根据第十方面,提供如第一到第九方面中任一项所述的方法,还包括将电气组件应用到柔性玻璃基片。
根据第十一方面,提供如第一到第十方面中任一项所述的方法,其中所述柔性玻璃基片的厚度不大于约0.3毫米。
根据第十二方面,提供如第一到第十一方面中任一项所述的方法,其中所述载体基片包括玻璃。
根据第十三方面,提供如第一到第十二方面中任一项所述的方法,其中所述粘合材料包括玻璃、玻璃陶瓷和陶瓷中的一种或更多种。
根据第十四方面,提供如第一到第十三方面中任一项所述的方法,其中所述粘合材料包括碳。
根据第十五方面,提供如第一到第十四方面中任一项所述的方法,其中所述粘合材料包括硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的