[发明专利]单片多通道可自适应STT‑MRAM

权利要求书

1.一种多通道电阻式存储器，包括：

至少一个第一存储器类型的第一存储器组，所述至少一个第一存储器类型的第一存储器组与第一存储器通道相关联并且根据第一设备属性和对应于所述第一存储器类型的第一电路属性中的至少一个来调谐；

至少一个第二存储器类型的第二存储器组，所述至少一个第二存储器类型的第二存储器组与第二存储器通道相关联并且根据第二设备属性和对应于所述第二存储器类型的第二电路属性中的至少一个来调谐；以及

耦合到第一存储器通道和第二存储器通道的处理器，其中独立于通过所述第二存储器通道到所述第二存储器组的直接存储器访问，所述第一存储器通道向所述处理器提供到所述第一存储器组的直接访问。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一设备属性和所述第二设备属性包括位单元架构、位单元大小、晶体管大小和磁隧道结MTJ大小中的至少一个。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电路属性和所述第二电路属性包括操作电压、输入/输出IO宽度、IO速度/频率、阵列组织、冗余、和纠错码ECC中的至少一个。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，进一步包括至少一个第三存储器类型的第三存储器组，所述至少一个第三存储器类型的第三存储器组与第三存储器通道相关联并且根据第三设备属性和对应于所述第三存储器类型的第三电路属性中的至少一个来调谐。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多通道电阻式存储器被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多通道电阻式存储器为自旋转移矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多通道电阻式存储器为磁阻随机存取存储器MRAM。

8.一种多通道电阻式存储器，包括：

至少一个第一存储器类型的第一存储装置，所述至少一个第一存储器类型的第一存储装置与第一存储器通道相关联并且根据第一设备属性和对应于所述第一存储器类型的第一电路属性中的至少一个来调谐；

至少一个第二存储器类型的第二存储装置，所述至少一个第二存储器类型第二存储装置与第二存储器通道相关联并且根据第二设备属性和对应于所述第二存储器类型的第二电路属性参数中的至少一个来调谐；以及

耦合到第一存储器通道和第二存储器通道的处理器，其中独立于通过所述第二存储器通道到所述第二存储装置的直接存储器访问，所述第一存储器通道向所述处理器提供到所述第一存储装置的直接访问。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述多通道电阻式存储器被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。

10.一种在多通道电阻式存储器中将存储器组与通道相关联的方法，所述方法包括：

将至少一个第一存储器类型的第一存储器组与第一存储器通道相关联，所述至少一个第一存储器类型的第一存储器组根据第一设备属性和对应于所述第一存储器类型的第一电路属性中的至少一个来调谐；

将至少一个第二存储器类型的第二存储器组与第二存储器通道相关联，所述至少一个第二存储器类型的第二存储器组根据第二设备属性和对应于所述第二存储器类型的第二电路属性中的至少一个来调谐；以及

独立于通过所述第二存储器通道直接访问所述第二存储器组，通过所述第一存储器通道直接访问所述第一存储器组。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括经由所述第一存储器通道和所述第二存储器通道将所述多通道电阻式存储器耦合到处理器。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述多通道电阻式存储器集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。