[发明专利]单片多通道可自适应STT‑MRAM

说明书

技术领域

本公开一般涉及磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。更具体地，本公开涉及多通道可自适应MRAM。

背景技术

在常规存储器子系统中(诸如用于计算的存储器子系统)，采用了不同类型的自立存储器(诸如动态随机存取存储器(DRAM)和闪存存储器(NAND、NOR))。

DRAM是高吞吐量并且低成本的常用工作存储器。然而，DRAM是易失性的并且具有大功耗。

混合DRAM(例如，OneDRAM^TM)是DRAM的变体，该混合DRAM是具有用于服务两个处理器(例如，调制解调器和应用处理器)的两个端口的单个DRAM管芯。然而，与常规DRAM类似，混合DRAM是易失性的并且具有大功耗。

闪存(NAND、NOR)是非易失性并且低成本的储存存储器技术。但是，闪存速度慢并且受限于其耐久性。混合闪存(例如，具有集成NOR块的NAND存储器)是闪存的变体，该混合闪存将NOR的性能优点和NAND的密度优点结合起来。然而，与如同DRAM的工作存储器相比，混合闪存仍然速度慢得多并且受限于其耐久性。

没有一种常规存储器技术能够同时用作工作存储器和非易失性储存存储器。相应地，用多芯片封装(MCP)或者系统级封装(SiP)的形式提供了多个存储器芯片解决方案。例如，对于移动系统，通常具有组合多个具有唯一属性的存储器芯片的伪静态RAM(PSRAM)-NOR或者DRAM-NAND。又一方面，MCP和SiP与使用单一存储器解决方案的系统相比具有更高的系统成本和更大的形状因子。

出于各种原因(诸如成本、速度和容量)，已知类型的存储器具有通用的限制，使得每个类型的存储器都服务其唯一的应用。因此，期望提供一种提供每种当前存储器类型的益处但是不具有上文所描述的缺点的低成本存储器。也期望此类存储器针对速度、功率和密度是可调谐的。

概述

根据本公开的一方面，给出了一种单片多通道电阻式存储器。该存储器包括至少一个第一组，该至少一个第一组与第一通道相关联并且根据第一设备属性和/或第一电路属性来调谐。该存储器还包括至少一个第二组，该至少一个第二组与第二通道相关联并且根据第二设备属性和/或第二电路属性来调谐。

根据另一方面，给出了一种单片多通道电阻式存储器。该存储器包括至少一个第一存储装置，该至少一个第一存储装置与第一通道相关联并且根据第一设备属性和/或第一电路属性来调谐。该存储器还包括至少一个第二存储装置，该至少一个第二存储装置与第二通道相关联并且根据第二设备属性和/或第二电路属性来调谐。

根据另一方面，一种在单片多通道电阻式存储器中将存储器组和通道相关联的方法。该方法包括将至少一个第一组与第一通道相关联，该至少一个第一组根据第一设备属性和/或第一电路属性来调谐。该方法还包括将至少一个第二组与第二通道相关联，该至少一个第二组根据第二设备属性和/或第二电路属性来调谐。

根据又一方面，给出了一种用于制造用于单片多通道电阻式存储器的存储器组的方法。该方法包括根据第一设备属性和/或第一电路属性来调谐至少一个第一组。该方法还包括根据第二设备属性和/或第二电路属性来调谐至少一个第二组。

这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本发明的其他特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应该领会，本发明可容易地被用作改动或设计用于实施与本发明相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本发明的教导。被认为是本发明的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本发明的限定的定义。

附图简要描述

本公开的特征、本质和优点将因以下结合附图阐述的具体描述而变得更加明显。

图1解说了现有技术的存储器系统。

图2是根据本公开的一个方面的单片多层次MRAM系统的框图。

图3解说了根据本公开的一个方面的单片多层次MRAM的示例。

图4解说了根据本公开的一个方面的单片多层次MRAM的示例。

图5是根据本公开的一个方面的、用于制造单片多层次MRAM的方法的框图。

图6解说了其中可有利地采用本公开的实施例的示例性无线通信系统。

图7是解说根据本公开一方面的用于半导体组件的电路、布局以及逻辑设计的设计工作站的框图。