[发明专利]芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材、该片材的制备方法及使用该片材的高频装置有效
申请号: | 201380044089.5 | 申请日: | 2013-06-10 |
公开(公告)号: | CN104582961A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 成濑新二;藤森龙士;近藤千寻 | 申请(专利权)人: | 杜邦帝人先进纸(日本)有限公司 |
主分类号: | B32B27/34 | 分类号: | B32B27/34;B32B27/12;B32B27/30;H05K1/03 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张桂霞;庞立志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰胺 聚四氟乙烯 复合 该片 制备 方法 使用 高频 装置 | ||
技术领域
本发明涉及机械特性、电气绝缘性、介电特性、液体含浸性等优异,适合用作在高温下可使用或进行工作的高频装置的绝缘部件的新型芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材。
背景技术
在处理高频信号的变换器、印制基板、移动无线通信等高频装置中,为了进行高频信号的转换,在绝缘部件中需要减小通过下式所表示的介电损耗(热损耗) P的产生。因此,要求低介电常数和低介电损耗角正切的绝缘部件。
此处,E为电压,tanδ为物质的介电损耗角正切,f为频率,ε0为真空的介电常数,εr为物质的介电常数(介电常数),S为电极的面积,d为电极间距。
另一方面,为了高频信号的转换使用半导体,但近年来碳化硅、氮化镓等高温工作功率半导体的开发日趋活跃,分别根据半导体开关电路的使用条件等,要求合适的变化特性或水平等。
但是,在绝缘部件中,未必能够充分应对近年来的高频装置的日益高效率化、大容量化和小型化(compact)。
在要求高效率和大容量的发电机、电动机、变换器、换流器、印制基板等高频装置的绝缘部件中,需要同时满足以下4种特性:
1) 介电常数和介电损耗角正切低(低介电性);
2) 高的耐电压;
3) 具有机械强度;以及
4) 充分含浸自动机械润滑油等的润滑剂。
特别是认为在高温的状态下满足上述4种特性在充分发挥高温工作有效的功率半导体的特性的意义下极其重要。
发明内容
本发明的目的在于:提供一种能够胜任在高温下可使用或进行工作的高频装置的高效率化·大容量化的低介电绝缘片材。
本发明人鉴于这样的情况,为了开发能够胜任高频装置的高效率化·大容量化的低介电绝缘片材而进行了深入研究,结果达成本发明。
在第1实施方式中,本发明提供一种芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材,其特征在于,所述片材是由含有芳族聚酰胺沉析纤维和芳族聚酰胺短纤维的片材与在上述片材的面方向成为层状的聚四氟乙烯层形成并经煅烧加工的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材,空隙率为30%以上且厚度为150μm以下。
在第2实施方式中,本发明提供第1实施方式所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材,其中,200℃的介电常数和介电损耗角正切相对于测定频率的增加而显示减少趋势。
在第3实施方式中,本发明提供第1实施方式或第2实施方式所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材,其中,100℃的介电常数与25℃的介电常数的比值、或200℃的介电常数与25℃的介电常数的比值为0.9~1.1。
在第4实施方式中,本发明提供第1~3实施方式中任一项所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材的制备方法,其特征在于,将在由芳族聚酰胺沉析纤维和芳族聚酰胺短纤维通过湿式抄制法所制备的片材上涂布有聚四氟乙烯微粒分散体的片材进行压延加工后,进行煅烧加工。
在第5实施方式中,本发明提供一种高频装置,其特征在于,使用第1~3实施方式中任一项所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材作为绝缘部件。
在第6实施方式中,本发明提供一种发电机,其特征在于,使用第1~3实施方式中任一项所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材作为绝缘部件。
在第7实施方式中,本发明提供一种电动机,其特征在于,使用第1~3实施方式中任一项所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材作为绝缘部件。
在第8实施方式中,本发明提供一种变换器,其特征在于,使用第1~3实施方式中任一项所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材作为绝缘部件。
在第9实施方式中,本发明提供一种换流器,其特征在于,使用第1~3实施方式中任一项所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材作为绝缘部件。
在第10实施方式中,本发明提供一种印制基板,其特征在于,使用第1~3实施方式中任一项所记载的芳族聚酰胺-聚四氟乙烯复合片材作为绝缘部件。
具体实施方式
(芳族聚酰胺)
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