[发明专利]微腔OLED光提取

权利要求书

1.一种光发射装置，包括：

微腔有机发光二极管(OLED)装置，其具有被配置成发射光的顶部金属电极；

紧邻所述顶部金属电极设置的封盖层，其具有大于1.8的折射率；以及

光提取膜，其邻近所述封盖层设置。

2.根据权利要求1所述的光发射装置，其中所述封盖层具有大于1.9的折射率。

3.根据权利要求1所述的光发射装置，其中所述封盖层具有大于2.0的折射率。

4.根据权利要求1所述的光发射装置，其中所述光提取膜包括一层纳米结构和在所述纳米结构上方且邻近所述封盖层设置的回填层，所述回填层具有比所述纳米结构的折射率更大的折射率。

5.根据权利要求4所述的光发射装置，其中所述回填层包括用于将所述光提取膜粘结到所述封盖层的粘合剂。

6.根据权利要求1所述的光发射装置，还包括紧邻所述封盖层设置的粘合剂光学耦合层。

7.根据权利要求4所述的光发射装置，其中所述光提取膜还包括与所述一层纳米结构相邻设置的基底，所述基底对于由所述微腔OLED装置发射的光是基本上透明的。

8.根据权利要求4所述的光发射装置，其中所述一层纳米结构被压印到基底的表面中，所述基底对于由所述微腔OLED装置发射的光是基本上透明的。

9.根据权利要求4所述的光发射装置，其中所述一层纳米结构包括粒状纳米结构、非粒状纳米结构、或它们的组合。

10.根据权利要求9所述的光发射装置，其中所述非粒状纳米结构包括工程化的纳米级图案。

11.根据权利要求4所述的光发射装置，其中所述回填层包括非散射纳米颗粒填充的聚合物。

12.根据权利要求1所述的光发射装置，其中所述顶部金属电极是包括具有小于约30nm的厚度的金属的部分地透明的电极。

13.根据权利要求1所述的光发射装置，其中所述封盖层包括硒化锌、氮化硅、氧化铟锡、或它们的组合。

14.根据权利要求1所述的光发射装置，其中所述封盖层包括在约60nm和400nm之间的厚度。

15.根据权利要求1所述的光发射装置，其中所述光提取膜包括具有可变间距的纳米结构。

16.根据权利要求1所述的光发射装置，其中所述光提取膜包括具有约400nm、约500nm、约600nm或它们的组合的间距的纳米结构。

17.一种有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)装置，包括：

光发射装置阵列，每个光发射装置包括：

微腔有机发光二极管(OLED)装置，其具有被配置成发射光的顶部金属电极；

紧邻所述顶部金属电极设置的封盖层，其具有大于1.8的折射率；以及

在所述光发射装置阵列上方设置的光提取膜，所述光提取膜邻近所述封盖层。

18.根据权利要求17所述的光发射装置，其中所述封盖层具有大于1.9的折射率。

19.根据权利要求17所述的光发射装置，其中所述封盖层具有大于2.0的折射率。

20.根据权利要求17所述的AMOLED装置，其中所述光提取膜包括对于由所述微腔OLED装置发射的光是基本上透明的基底，被施加在所述基底的一层纳米结构，以及在所述纳米结构上方且邻近所述封盖层设置的回填层，所述回填层具有比所述纳米结构的折射率更大的折射率。

21.根据权利要求20所述的AMOLED装置，其中所述回填层包括用于将所述光提取膜粘结到所述封盖层的粘合剂。

22.根据权利要求17所述的AMOLED装置，还包括紧邻所述封盖层设置的粘合剂光学耦合层。

23.根据权利要求17所述的AMOLED装置，其中所述封盖层包括硒化锌、氮化硅、氧化铟锡、或它们的组合。