[发明专利]微腔OLED光提取

说明书

相关专利申请

本专利申请涉及以引用方式并入本文的下述美国专利申请：与本专利申请提交于同一天的“TRANSPARENT OLED LIGHT EXTRACTION(透明OLED光提取)”(代理人案卷号70114US002)。

背景技术

有机发光二极管(OLED)装置包括电致发光有机材料的薄膜，所述薄膜夹在阴极和阳极之间，其中这些电极中的一个或两个是透明导体。在跨所述装置来施加电压时，从各自的电极射出电子和空穴，并且所述电子和空穴通过中间形成放射性激子而在电致发光有机材料中复合。

在OLED装置中，超过70％的生成光通常由于在装置结构内的工艺而损失。光在较高折射率的有机和氧化铟锡(ITO)层与较低折射率的基底层之间的界面处的捕集是这种提取效率较差的一个原因。只有相对少量的发射光可作为“可用的”光穿过透明电极出现。大部分光经受内部反射，导致光从装置的边缘发射或在装置内被捕集，并在反复穿行之后最终因吸收到装置内而损失掉。光提取膜使用可降低在装置内的这类波导损耗的内部纳米结构。

有源矩阵OLED(AMOLED)显示器在显示器市场越来越突出。影响AMOLED显示器的有效市场渗透的多个进展中的一个进展是利用强效光学微腔OLED架构来改善轴向效率并实现100％的NTSC轴向色域。同时，强效微腔方法具有与AMOLED制造的复杂性并与AMOLED装置的角亮度和色彩性能相关联的多个限制。众所周知，强效微腔与大多数已知的光提取技术是不兼容的。

发明内容

本公开提供一种光发射装置，包括该光发射装置的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)装置，以及包括该光发射装置的图像显示装置。具体地，该光发射装置包括微腔有机发光二极管(OLED)、光提取膜，以及设置在该微腔OLED与该光提取膜之间的高折射率封盖层。在一个方面，本公开提供包括微腔有机发光二极管(OLED)装置的光发射装置，该OLED装置具有被配置成发射光的顶部金属电极；紧邻该顶部金属电极设置的具有大于1.8的折射率的封盖层；以及邻近该封盖层设置的光提取膜。

在另一方面，本公开提供一种有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)装置，其包括光发射装置阵列，每个光发射装置具有微腔有机发光二极管(OLED)装置，该OLED装置具有被配置成发射光的顶部金属电极；紧邻该顶部金属电极设置的具有大于1.8的折射率的封盖层；以及光发射装置阵列上方设置的光提取膜，该光提取膜邻近该封盖层。

在另一方面，本公开提供一种图像显示装置，该图像显示装置包括多个光发射装置，每个光发射装置具有微腔有机发光二极管(OLED)装置，该OLED装置具有被配置成发射光的顶部金属电极；以及紧邻该顶部金属电极设置的具有大于1.8的折射率的封盖层。该图像显示装置还包括设置在该多个光发射装置上方的光提取膜，该光提取膜与封盖层相邻；以及能够激活每个光发射装置的电子电路。

上述发明内容并非旨在描述本发明的每个所公开实施例或每种实施方案。以下附图和具体实施方式更具体地举例说明了示例性实施例。

附图说明

整个说明书参考附图，在附图中，类似的附图标号表示类似的元件，并且其中：

图1示出光发射装置的横截面示意图；

图2示出用于对照物和提取器层合装置的效率对亮度；

图3示出用于对照物和提取器层合装置的效率对亮度；

图4示出用于对照物和提取器层合装置的效率对亮度；以及

图5示出用于对照物和提取器层合装置的效率对亮度。

附图未必按比例绘制。附图中使用的类似标号是指类似组件。然而，应当理解，使用标号来指代给定附图中的组件并非旨在限制在另一附图中以相同标号标记的组件。

具体实施方式

本公开描述一种光发射装置，该光发射装置包括微腔有机发光二极管(OLED)、光提取膜、以及被设置在微腔OLED与光提取膜之间的高折射率封盖层。本公开的实施例涉及光提取膜和该光提取膜用于OLED装置的使用。光提取膜的示例在美国专利申请公布2009/0015757和2009/0015142中描述，并且也在共同未决的美国专利申请序列号13/218610(代理人案卷编号67921US002)中描述。

在以下说明中参考附图，附图形成说明的一部分并且通过举例说明的方式示出。应当理解，在不脱离本发明的范围或实质的情况下，设想并可做出其它实施例。因此，以下的具体实施方式不具有限制性意义。