[发明专利]外延晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201380045238.X | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104584190A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 姜石民 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造外延晶片的方法，包括：
预生长步骤，在布置在室中的半导体晶片上注入用于外延生长的反应源，以及在预定的第一生长速率下和在预定的第一生长温度下将外延层生长为预定的第一厚度；
热处理步骤，对通过所述预生长步骤生长的所述外延层执行预定时间的热处理；以及
后续生长步骤，在经热处理的半导体晶片上注入所述反应源，以及在预定的第二生长速率下和在预定的第二生长温度下将所述外延层生长至目标厚度，
其中所述第一生长速率小于所述第二生长速率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一生长温度低于所述第二生长温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片是碳化硅晶片并且所述反应源是包含碳和硅的固态、液态或气态的材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中将所述第二生长温度设置在1500℃至1700℃的范围内并且将所述第一生长温度设置在1400℃至1500℃的范围内，将所述第二生长速率设置成20μm/h或更大并且将所述第一生长速率设置成5μm/h或更小，并且将所述第一厚度设置在0.5μm至1μm的范围内。
5.根据权利要求4所述的方法，其中将所述热处理步骤中的热处理温度设置在1500℃至1700℃的范围内。
6.一种外延晶片，包括：
衬底；以及
外延结构，所述外延结构包括形成在所述衬底上的第一外延层和形成在所述第一外延层上的第二外延层，
其中所述第一外延层和所述第二外延层的组成相同。
7.根据权利要求6所述的晶片，其中所述第二外延层的表面缺陷密度为0.5cm2或更小。
8.根据权利要求6所述的晶片，其中所述衬底为碳化硅晶片并且所述第一外延层和所述第二外延层由N型导电碳化硅系列形成。
9.根据权利要求6所述的晶片，其中所述第一外延层的厚度为1μm或更小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
