[发明专利]包括封装衬底中的管芯的堆叠管芯封装在审
申请号: | 201380045244.5 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN104584212A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | C-P·秋 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 封装 衬底 中的 管芯 堆叠 | ||
1.一种装置,包括:
包括开口的衬底,所述开口由第一边、第二边、第三边和第四边所包围;
第一管芯,所述第一管芯的至少一部分占据所述开口的至少一部分;
第二管芯,其耦合到所述第一管芯并且直接耦合到所述衬底,以使得在所述衬底耦合到底座时,所述第二管芯的至少一部分位于所述底座中的开口内部;
耦合到所述第一管芯的散热器件,其中,所述第一管芯包括第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面,所述第二管芯位于所述第一管芯的所述第一侧面上,并且所述散热器件位于所述第一管芯的所述第二侧面上并且耦合到所述第一管芯的所述第二侧面;
位于所述散热器件与所述第一管芯的所述第二侧面之间的热界面,所述热界面直接耦合到所述散热器件并且直接耦合到所述第一管芯的所述第二侧面;以及
电连接件,其直接耦合到所述第二管芯并且直接耦合到所述衬底,所述电连接件包围所述衬底的所述开口的所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括:
第一电连接件,其直接耦合到所述第一管芯并且直接耦合到所述第二管芯。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一电连接件包括焊料,所述焊料直接接触所述第一管芯的侧面并且直接接触所述第二管芯的侧面。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第二管芯包括第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面,所述第一电连接件位于所述第二管芯的所述第一侧面上,并且所述第二管芯在所述第二管芯的所述第二侧面上不包括电连接件。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述衬底是球栅阵列封装的部分。
6.一种装置,包括:
包括开口的衬底,所述开口由第一边、第二边、第三边和第四边所包围;
第一管芯,所述第一管芯的至少一部分占据所述开口的至少一部分;
第二管芯,其耦合到所述第一管芯并且耦合到所述衬底,以使得在所述衬底耦合到底座时,所述第二管芯的至少一部分位于所述底座中的开口内部;
第一电连接件,其直接耦合到所述第一管芯并且直接耦合到所述第二管芯;
第二电连接件,其直接耦合到所述第二管芯并且直接耦合到所述衬底;
耦合到所述第一管芯的散热器件,其中,所述第一管芯包括第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面,所述第二管芯位于所述第一管芯的所述第一侧面上,并且所述散热器件位于所述第一管芯的所述第二侧面上并且耦合到所述第一管芯的所述第二侧面;
位于所述散热器件与所述第一管芯的所述第二侧面之间的热界面,所述热界面直接耦合到所述散热器件并且直接耦合到所述第一管芯的所述第二侧面;以及
附加电连接件,其直接耦合到所述衬底并且直接耦合到所述底座,其中,所述第二电连接件和所述附加电连接件位于所述衬底的同一侧面上,并且所述第二电连接件包围所述衬底的所述开口的所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第一电连接件和所述第二电连接件位于所述第二管芯的同一侧面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380045244.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于制造碳化硅半导体器件的方法
- 下一篇:外延晶片及其制造方法