[发明专利]FinFET电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器(300)，包括：

第一电容器端子，包括布置在半导体基板(302)的表面上的至少第一鳍(304)和第二鳍(304)；

第二电容器端子，包括布置在所述半导体基板的所述表面上的、位于所述第一鳍(304)与所述第二鳍(304)之间且与所述第一鳍(304)与所述第二鳍(304)共面的、与FinFET兼容的高K导电栅极(306)；以及

与所述半导体基板(302)分隔开且被布置成覆盖所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)以及所述高K导电栅极(306)的介电层(308)。

2.如权利要求1所述的电容器(300)，其特征在于，在所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)上布置氧化物。

3.如权利要求1所述的电容器(300)，其特征在于，所述电容器被集成到机顶盒、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元或固定位置数据单元中。

4.如权利要求3所述的电容器(300)，其特征在于，所述手持式个人通信系统(PCS)单元包括移动电话，并且所述娱乐单元包括音乐播放器或视频播放器。

5.一种制造FinFET电容器(300)的方法，所述方法包括：

在半导体基板(302)的表面上制造包括至少第一鳍(304)和第二鳍(304)的第一电容器端子；

在所述半导体基板的所述表面上、在所述第一鳍(304)与所述第二鳍(304)之间且与所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)共面地沉积至少包括与FinFET兼容的高K导电栅极(306)的第二电容器端子；以及

沉积与所述半导体基板(302)分隔开且被布置成覆盖所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)以及所述高K导电栅极(306)的介电层(308)。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)上沉积氧化物。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述FinFET电容器(300)集成到机顶盒、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元或位置固定的数据单元中。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述手持式个人通信系统(PCS)单元包括移动电话，并且所述娱乐单元包括音乐播放器或视频播放器。

9.一种电容器(300)，包括：

布置在基板的表面上的第一电容器端子，所述第一电容器端子包括第一鳍(304)和第二鳍(304)；

第二电容器端子，至少包括布置在所述第一鳍(304)与所述第二鳍(304)之间且与所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)共面的导电栅极(306)；以及

与所述基板(302)分隔开且被布置成覆盖所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)以及所述导电栅极(306)的介电层(308)。

10.如权利要求9所述的电容器(300)，其特征在于，所述电容器(300)被集成到机顶盒、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元或固定位置数据单元中。

11.如权利要求10所述的电容器(300)，其特征在于，所述手持式个人通信系统(PCS)单元包括移动电话，并且所述娱乐单元包括音乐播放器或视频播放器。

12.一种制造FinFET电容器(300)的方法，所述方法包括：

在半导体基板(302)的表面上制造包括至少第一鳍(304)和第二鳍(304)的第一电容器端子的步骤；

在所述第一鳍(304)与所述第二鳍(304)之间且与所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)共面地沉积至少包括与FinFET兼容的高K导电栅极(306)的第二电容器端子的步骤；以及

用于沉积与所述半导体基板(302)分隔开且被布置成覆盖所述第一鳍(304)和所述第二鳍(304)以及所述高K导电栅极(306)的介电层(308)的步骤。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述FinFET电容器(300)集成到机顶盒、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元或位置固定的数据单元中的步骤。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述手持式个人通信系统(PCS)单元包括移动电话，并且所述娱乐单元包括音乐播放器或视频播放器。