[发明专利]FinFET电容器及其制造方法

说明书

技术领域

本公开一般涉及鳍式无源组件。更具体地，本公开涉及与FinFET工艺技术兼容的电容器。

背景技术

在移动通信和移动计算系统中，对集成系统中的数字和非数字功能性的组合需求正在促使系统级集成中的两个趋势。

系统级集成中的一个趋势为片上系统(SOC)的概念。在片上系统中，功能(例如，数字功能)被集成在芯片上。在这些系统中，可在芯片上集成的数字功能的数目随着芯片上可用的晶体管的数目的增加而继续增加。系统级集成中的另一趋势为基于半导体的器件的功能多样化。取代在一块芯片上实现诸器件，这些器件被实现在多个芯片上并且集成到一个封装中，这被称为系统级封装(SiP)。

在片上系统以及系统级封装中，用金属层来构造用于提供数字功能的嵌入式电容器。此外，在典型系统中，常规的电容器不紧邻有源器件。这导致较大的面积消耗和较多的寄生关系。常规的电容器工艺技术还与二维(2D)工艺相关联。FinFET工艺技术与三维(3D)工艺相关联。

概述

根据本公开的一方面，给出了一种电容器。该电容器包括半导体基板。该电容器还包括第一端子，该第一端子具有布置在半导体基板的表面上的鳍。该电容器进一步包括布置在鳍上的介电层。该电容器还进一步包括第二端子，该第二端子具有与鳍紧邻且毗邻地布置的与FinFET兼容的高K金属栅极。

根据本公开的另一方面，一种电容器包括半导体基板。该电容器还包括第一端子，该第一端子包括布置在半导体基板的表面上的第一组栅极。该电容器进一步包括第二端子，该第二端子包括布置在半导体基板的表面上的第二组栅极。该电容器还进一步包括布置在半导体基板的表面上的、位于第一组栅极与第二组栅极之间的鳍。这些鳍可以用介电薄膜来涂敷。

根据又一方面，一种电容器包括半导体基板。该电容器还包括第一端子，该第一端子具有布置在半导体基板的表面上的第一组鳍。该电容器进一步包括第二端子，该第二端子具有布置在半导体基板的表面上的第二组鳍。该电容器还进一步包括布置在第一组鳍与第二组鳍之间的介电层。

根据又一方面，给出了一种用于制造FinFET电容器的方法。该方法包括制造第一端子，该第一端子包括半导体基板的表面上的鳍。该方法还包括在鳍上沉积介电层。该方法进一步包括沉积与鳍紧邻且毗邻的与FinFET兼容的高K金属栅极。

根据另一方面，给出了一种用于制造FinFET电容器的方法。该方法包括制造第一端子，该第一端子具有布置在半导体基板的表面上的第一组栅极。该方法还包括制造第二端子，该第二端子具有布置在半导体基板的表面上的第二组栅极。该方法进一步包括制造布置在半导体基板的表面上的、位于第一组栅极与第二组栅极之间的鳍。该方法还包括用介电薄膜来涂敷这些鳍。

根据又一方面，给出了一种用于制造FinFET电容器的方法。该方法包括制造第一端子，该第一端子包括布置在半导体基板的表面上的第一组鳍。该方法还包括制造第二端子，该第二端子包括布置在半导体基板的表面上的第二组鳍。该方法还包括制造布置在第一组鳍与第二组鳍之间的介电层。

根据又一方面，给出了一种电容器。该电容器包括用于支撑至少一个鳍的装置。该电容器还包括布置在支撑装置的表面上的端子。该端子可以包括鳍。该电容器进一步包括布置在该端子上的用于绝缘的装置。该电容器还具有与该端子紧邻且毗邻地布置的导电栅极。

根据又一方面，给出了一种电容器。该电容器包括用于支撑鳍的装置。该电容器还包括第一端子，该第一端子包括布置在支撑装置的表面上的鳍。该电容器进一步包括第二端子，该第二端子也可包括布置在支撑装置的表面上的鳍。该电容器还具有布置在第一组鳍与第二组鳍之间的用于绝缘的装置。

这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本发明的其他特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应该领会，本发明可容易地被用作改动或设计用于实施与本发明相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本发明的教导。被认为是本发明的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本发明的限定的定义。

附图简述

本公开的特征、本质和优点将因以下结合附图阐述的具体描述而变得更加明显。

图1解说了根据本公开的一方面的FinFET工艺流程。