[发明专利]单极存储器装置

权利要求书

1.一种存储器设备，其包括：

电阻性存储器单元，其包含：

氧汇；

氧源；

电介质，其安置于所述氧汇与所述氧源之间，所述电介质与所述氧汇接触并与所述氧源接触；及

两个电极，其具有安置于其之间的所述氧汇、所述氧源及所述电介质，所述两个电极中的一者与所述氧汇接触且所述两个电极中的另一者与所述氧源接触，所述氧源及所述电介质经结构化：使得可通过将第一电压施加于所述两个电极之间来实现在所述电介质中设定导电细丝以将所述氧源耦合到所述氧汇，所述第一电压具有第一极性；及使得可通过将第二电压施加于所述两个电极之间而实现在所述电介质中重设所述细丝，所述第二电压具有第二极性，所述第二极性与所述第一极性相同。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述氧汇、所述氧源及所述电介质经结构化使得与用于实现所述重设相比，在所述两个电极之间使用量值较高、脉冲较短或量值既较高而脉冲又较短的电压来实现设定。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述氧汇、所述氧源及所述电介质经结构化使得与所述设定相比，所述电阻性存储器单元在所述重设中可借助较长脉冲或较短脉冲及较高电压或较低电压而操作。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述氧汇经结构化而在所述电阻性存储器单元的初始操作之前具有充足数目个空位使得所述电阻性存储器单元可操作达选定数目个循环。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中循环的所述数目等于至少一万个循环。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述电介质被结构化为所述氧汇与所述氧源之间的势垒区域。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述氧汇包含以下各项中的一或多者：(Pr，Ca)MnO_x、(La，Sr)CaO_x、(La，Sr)MnOx、SrTiOx，或呈ABO₃、ABO_3-δ、ABO_3+δ、A₂BO₄、A_0.6BO₃、A_1-xBO₃、A_0.3BO₃及A_nB_nO_3n+1的形式的材料，其中A及B为过渡金属离子。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述氧源包含以下各项中的一或多者：(Pr，Ca)MnO_x、(La，Sr)CaO_x、(La，Sr)MnOx、SrTiOx，或呈ABO₃、ABO_3-δ、ABO_3+δ、A₂BO₄、A_0.6BO₃、A_1-xBO₃、A_0.3BO₃及A_nB_nO_3n+1的形式的材料，其中A及B为过渡金属离子。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述两个电极中的一者或两者包含Pt、Ru、RuO_x、Ir或SrRuO中的一或多者。