[发明专利]单极存储器装置有效

专利信息
申请号: 201380049034.3 申请日: 2013-08-20
公开(公告)号: CN104662610B 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米;毕磊 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 单极 存储器 装置
【说明书】:

优先权申请

本申请案主张2012年8月21日提出申请的序列号为13/590,758的美国申请案的优先权权益,所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

发明总体上涉及存储器装置,尤其涉及单极存储器装置。

背景技术

半导体装置行业具有改进存储器装置的操作的受市场驱动的需要。可通过存储器装置设计及处理方面的进步来实现改进。

发明内容

本发明一方面涉及一种存储器设备,其包括电阻性存储器单元,其包含:氧汇;氧源;电介质,其安置于所述氧汇与所述氧源之间,所述电介质与所述氧汇接触并与所述氧源接触;及两个电极,其具有安置于其之间的所述氧汇、所述氧源及所述电介质,所述两个电极中的一者与所述氧汇接触且所述两个电极中的另一者与所述氧源接触,所述氧源及所述电介质经结构化:使得可通过将第一电压施加于所述两个电极之间来实现在所述电介质中设定导电细丝以将所述氧源耦合到所述氧汇,所述第一电压具有第一极性;及使得可通过将第二电压施加于所述两个电极之间而实现在所述电介质中重设所述细丝,所述第二电压具有第二极性,所述第二极性与所述第一极性相同。

本发明还涉及一种存储器设备,其包括:存取装置;电阻性存储器元件,其耦合到所述存取装置,所述电阻性存储器元件包含:氧汇;氧源;电介质,其被结构化为操作可变电阻区域,所述电介质安置于所述氧汇与所述氧源之间,所述电介质与所述氧汇接触并与所述氧源接触;及两个电极,其中所述两个电极中的一者耦合到所述存取装置,所述两个电极具有安置于其之间的所述氧汇、所述氧源及所述电介质,所述两个电极中的一者与所述氧汇接触且所述两个电极中的另一者与所述氧源接触,所述氧源及所述电介质经结构化:使得可通过经由所述存取装置将第一电压施加于所述两个电极之间来实现在所述电介质中设定导电细丝以将所述氧源耦合到所述氧汇,所述第一电压具有第一极性;及使得可通过经由所述存取装置将第二电压施加于所述两个电极之间来实现在所述电介质中重设所述细丝,所述第二电压具有第二极性,所述第二极性与所述第一极性相同。

本发明的另一方面涉及一种用于形成存储器单元的方法,其包括:形成电阻性存储器单元;形成氧汇作为所述电阻性存储器单元的部分;形成氧源作为所述电阻性存储器单元的部分;形成安置于所述氧汇与所述氧源之间的电介质,所述电介质与所述氧汇接触并与所述氧源接触;及通过形成与所述氧汇接触的两个电极中的一者以及形成与所述氧源接触的所述两个电极中的另一者来形成具有安置于其之间的所述氧汇、所述氧源及所述电介质的所述两个电极,其中所述氧汇、所述氧源及所述电介质经结构化:使得通过将第一电压施加于所述两个电极之间来实现在所述电介质中设定导电细丝以将所述氧源耦合到所述氧汇,所述第一电压具有第一极性:及使得通过将第二电压施加于所述两个电极之间来实现在所述电介质中重设所述细丝,所述第二电压具有第二极性,所述第二极性与所述第一极性相同。

本发明的另一方面还涉及一种用于形成存储器单元的方法,其包括:将第一电压差施加于两个电极之间使得氧借助形成于电介质中的细丝从所述电介质被驱动到氧汇中,所述氧汇安置于所述两个电极中的一者与所述电介质之间,所述氧汇与所述两个电极中的所述一者接触并与所述电介质接触;及将第二电压差施加于所述两个电极之间使得氧从氧源被驱动到所述电介质中,所述氧源安置于所述电介质与所述两个电极中的另一者之间,所述氧源与所述两个电极中的所述另一者接触并与所述电介质接触,所述第一电压差与所述第二电压差具有相同极性。

附图说明

图1展示根据各种实施例的实例性存储器装置的框图。

图2展示根据各种实施例的包含存储器阵列的实例性存储器装置的特征的框图,所述存储器阵列具有带有存取组件及存储器元件的存储器单元。

图3展示根据各种实施例的具有耦合到存储器元件的存取组件的实例性存储器单元的示意图。

图4展示根据各种实施例的具有耦合到存储器元件的存取组件的实例性存储器单元的示意图。

图5展示根据各种实施例的具有耦合到存储器元件的存取组件的实例性存储器单元的示意图。

图6展示根据各种实施例的包含电阻性存储器单元的图解说明电阻性存储器单元的组件的实例性设备的框图。

图7展示根据各种实施例的包含电阻性存储器单元的图解说明电阻性存储器单元的组件的实例性设备的框图。

图8A展示根据各种实施例在实例性电阻性存储器单元中产生细丝的框图。

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