[发明专利]氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置有效
申请号: | 201380050338.1 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN104684870A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 大田瑞穗;石川和洋;织田武广 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;F27D11/02;H05B3/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 烧结 加热 装置 以及 吸附 | ||
1.一种氮化硅质烧结体,其特征在于,具有氮化硅的结晶、MgRE4Si3O13的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi2O5N的结晶。
2.如权利要求1所述的氮化硅质烧结体,其特征在于,含有80质量%以上的所述氮化硅而成,利用X射线衍射法求得的衍射角31°~34°处的所述MgRE4Si3O13的结晶的峰强度I1相对于衍射角27°~28°处的所述氮化硅的结晶的峰强度I0的比率(I1/I0×100)为2%以上且9%以下。
3.如权利要求1或权利要求2所述的氮化硅质烧结体,其特征在于,在表层中散布有包含铁和硅的第1化合物,当量圆直径为0.05μm以上且5μm以下的所述第1化合物的个数在每1mm2中为2.0×104个以上且2.0×105个以下。
4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的氮化硅质烧结体,其特征在于,在表层中散布有包含钨和硅的第2化合物,当量圆直径为0.05μm以上且5μm以下的所述第2化合物的个数在每1mm3中为2.0×104个以上且2.0×105个以下。
5.一种加热装置,其特征在于,具备加热器、和内包该加热器进行保护的保护管而成,所述保护管包含权利要求1至权利要求4中任一项所述的氮化硅质烧结体。
6.一种吸附装置,其特征在于,具备具有吸附孔的吸附构件、支承该吸附构件的支承构件而成,所述吸附构件包含权利要求1至权利要求4中任一项所述的氮化硅质烧结体。
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