[发明专利]氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置

说明书

技术领域

本发明涉及氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置。

背景技术

氮化硅质烧结体由于导热率高、耐热冲击性、耐磨损性也优异，而被用作例如浸渍于铝、锌、铜、镁或这些金属的合金的熔液的熔融金属用构件(加热器用保护管、铁水包(ladle)、炉膛口(stalk：スト一ク)、脱气用转子等)、用于固定半导体晶片的吸附装置中使用的吸附构件等各种构件。

作为这样的氮化硅质烧结体，例如，在专利文献1中提出了一种氮化硅质烧结体，其晶界相包含YbMgSi₂O₅N的结晶，在X射线衍射图中基于YbMgSi₂O₅N的峰中显示出最大强度的峰的强度(I_Yb)相对于基于氮化硅的峰中显示出最大强度的峰的强度(Is)超过0％且为10％以下。

另外，在专利文献2中提出了一种具有MgY₄Si₃O₁₃的结晶的氮化硅质烧结体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/114752号

专利文献2：日本专利第28552682号公报

发明要解决的课题

但是，近年来，对于用作各种构件的氮化硅质烧结体，需要进一步高导热化。

本发明为了满足上述要求而提出，目的在于提供导热率高的氮化硅质烧结体及使用其的加热装置以及吸附装置。

发明内容

用于解决课题的手段

本发明的氮化硅质烧结体的特征在于，具有氮化硅的结晶、MgRE₄Si₃O₁₃的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi₂O₅N的结晶。

本发明的加热装置的特征在于，具备加热器、和内包该加热器进行保护的保护管而成，所述保护管包含上述构成的氮化硅质烧结体。

本发明的吸附装置的特征在于，具备具有吸附孔的吸附构件、支承该吸附构件的支承构件而成，所述吸附构件包含上述构成的氮化硅质烧结体。

发明效果

根据本发明的氮化硅质烧结体，由于具有氮化硅的结晶、MgRE₄Si₃O₁₃的结晶(RE为稀土元素)、和REMgSi₂O₅N的结晶，而成为导热率高的氮化硅质烧结体。

另外，根据本发明的加热装置，由于具备加热器、和内包加热器进行保护的保护管而成，保护管包含上述构成的氮化硅质烧结体，因此能够将加热器的热高效传导到保护管外部。

另外，根据本发明的吸附装置，由于具备具有吸附孔的吸附构件、和支承吸附构件的支承构件而成，吸附构件包含上述构成的氮化硅质烧结体，因此能够将被吸附体所具有的热高效散热。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式的加热装置的一例的剖视图。

图2是表示本实施方式的吸附装置的一例，(a)为立体图，(b)为(a)的A-A线处的剖视图。

具体实施方式

以下，对本实施方式的氮化硅质烧结体进行详述。

本实施方式的氮化硅质烧结体具有氮化硅的结晶、MgRE₄Si₃O₁₃的结晶、和REMgSi₂O₅N的结晶。在此，RE为稀土元素，有钪(Sc)、钇(Y)及镧系元素(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)。而且，本实施方式的氮化硅质烧结体中，作为主相存在氮化硅的结晶，在氮化硅的结晶之间，作为晶界相，至少存在MgRE₄Si₃O₁₃的结晶、REMgSi₂O₅N的结晶及非晶质相。