[发明专利]用单个多晶硅层形成浮动栅极存储单元的半导体存储阵列的自对准方法

权利要求书

1.一种形成半导体存储单元的方法，包括：

在衬底上形成第一绝缘材料层；

在所述第一绝缘材料层上形成导电材料层；

在所述导电材料层上形成第二绝缘材料层；

在所述第二绝缘材料层中形成向下延伸到所述导电材料层且暴露所述导电材料层的第一沟槽；

在所述第一沟槽中形成间隔物，所述间隔物是通过在所述第一沟槽的底部的间隙来隔开的，所述间隙暴露所述导电材料层的一部分；

借由通过所述间隙执行各向异性蚀刻而形成通过所述导电材料层的第二沟槽；

在形成所述第二沟槽之后，完全地移除所述第二绝缘材料层及所述间隔物；

在完全地移除所述第二绝缘材料层及所述间隔物之后，以留下所述导电材料层的第一区块及第二区块的方式选择性地移除所述导电材料层的多个部分，所述第一区块及所述第二区块是通过所述第二沟槽彼此隔开的；

用绝缘材料填充所述第二沟槽；

在选择性地移除所述导电材料层的多个部分之后，在所述衬底中形成间隔开的第一区域及第二区域，在所述第一区域及所述第二区域之间于所述衬底中有通道区域，其中，所述第一区域及所述第二区域具有第一导电类型且所述通道区域具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，且其中，所述通道区域包括在所述第一区块下的第一部分及在所述第二区块下的第二部分；

其中，所述第二区块的横向边缘对准所述第一区域的横向边缘，并且所述第一区块的横向边缘对准所述第二区域的横向边缘。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过在所述衬底中注入第一导电类型材料而在所述衬底中形成阱区域，其中，所述第一区域形成于所述阱区域中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二区块的一部分安置于所述阱区域之上。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底中注入材料以在所述通道区域之下于所述衬底中形成阱区域。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成横向邻接所述第一区块的绝缘材料间隔物；

形成横向邻接所述第二区块的绝缘材料间隔物。