[发明专利]用于减少带电粒子束样品制备中的幕化的方法和系统有效
申请号: | 201380051841.9 | 申请日: | 2013-10-07 |
公开(公告)号: | CN104685617B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | M.施米德特;H.H.金;S.H.李;S.斯通;J.布莱克伍德 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;徐红燕 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减少 带电 粒子束 样品 制备 中的 方法 系统 | ||
1.一种在带电粒子束系统中暴露样品中的结构的一部分以供观察的方法,包括:
从大块样品提取样品;
确定在多个高纵横比结构之间减少幕化的样品取向;
将样品装配至带电粒子束系统中的夹持器,使得在研磨样品以暴露结构时,夹持器使样品取向在减少幕化的取向上;
通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构;以及
对结构成像。
2.权利要求1的方法,其中通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构包括旋转夹持器。
3.权利要求1或权利要求2的方法,其中从大块样品提取样品包括使用纳米操纵器或具有绕至少一个旋转轴旋转样品的能力的其它装置从大块样品提取样品。
4.权利要求1-2中任一项的方法,其中高纵横比结构包括高纵横比孔。
5.权利要求1-2中任一项的方法,其中暴露结构包括用离子束或电子束研磨结构。
6.权利要求1-2中任一项的方法,其中结构的图像包括在垂直于结构的取向平面的图像中查看结构。
7.一种暴露结构的一部分以供观察的方法,包括:
确定穿过工件的平面,所述平面最大化导致幕化或其它图像伪像的结构的区域;
倾斜样品使得平面垂直于聚焦离子束的轴;以及
用聚焦离子束研磨工件以暴露平面下方的截面。
8.权利要求7的方法,其中导致幕化的结构包括高纵横比孔。
9.权利要求7或权利要求8的方法,其中导致幕化的结构包括金属结构。
10.一种带电粒子束系统,包括:
离子束柱;
大块样品台,大块样品台能够在至少第一方向和不同于所述第一方向的第二方向上平移;
运动台,运动台布置在大块样品台上,运动台能够独立地在不同于所述第一方向和第二方向的第三方向上平移并且独立地关于轴旋转;
布置在运动台上的样品探针,样品探针能够夹持样品以供通过离子束处理或成像,样品探针能够独立地关于轴旋转;以及
控制器,其被编程以用于:
从大块样品提取样品;
确定减少幕化的样品取向;
将样品装配至样品探针;
在研磨样品以暴露样品中的结构以供观察时,使样品取向在减少幕化的取向上;
通过在减少幕化的方向上研磨样品来暴露结构;以及
对结构成像。
11.一种带电粒子束系统,包括:
离子束柱;
大块样品台,大块样品台能够在至少第一方向和不同于所述第一方向的第二方向上平移;
运动台,运动台布置在大块样品台上,运动台能够独立地在不同于所述第一方向和第二方向的第三方向上平移并且独立地关于轴旋转;以及
控制器,其被编程以用于:
从大块样品提取样品;
将样品装配至样品探针;
确定穿过工件的平面,所述平面最大化导致幕化或其它图像伪像的结构的区域;
倾斜样品使得平面垂直于聚焦离子束的轴;以及
用聚焦离子束研磨工件以暴露平面下方的截面。
12.权利要求10-11中任一项的带电粒子束系统,还包括用于从大块样品提取样品的纳米操纵器。
13.权利要求12的带电粒子束系统,其中纳米操纵器被适配用于将样品从大块样品转移至样品探针。
14.权利要求10、11或13中任一项的带电粒子束系统,其中结构为高纵横比结构。
15.权利要求10、11或13中任一项的带电粒子束系统,还包括用于查看的电子束柱。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于FEI公司,未经FEI公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380051841.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造