[发明专利]具有电镀的金属格栅的光伏器件有效
申请号: | 201380052255.6 | 申请日: | 2013-10-03 |
公开(公告)号: | CN104781936A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 傅建明;J·B·衡;C·J·贝泰尔;徐征 | 申请(专利权)人: | 喜瑞能源公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0747 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电镀 金属 格栅 器件 | ||
1.一种太阳能电池,包含:
光伏结构;以及
位于所述光伏结构上方的正面金属格栅,其中所述正面金属格栅包含一个或多个电镀的金属层,其中所述正面金属格栅包含一个或多个指状线,并且其中各个指状线的每个端部经由附加的金属线耦接至相邻指状线的对应端部,从而确保所述各个指状线没有开口端。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述附加的金属线位于所述太阳能电池的边缘附近,并且其中所述附加的金属线具有比所述各个指状线的宽度大的宽度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述附加的金属线与所述各个指状线之间的相交部成圆角或倒角。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述金属格栅还包含位于所述电镀的金属层与所述光伏结构之间的金属粘附层,其中所述金属粘附层还包含下列项中的一项或多项:Cu、Al、Co、W、Cr、Mo、Ni、Ti、Ta、氮化钛(TiNx)、钛钨(TiWx)、硅化钛(TiSix)、氮化硅钛(TiSiN)、氮化钽(TaNx)、氮化硅钽(TaSiNx)、镍钒(NiV)、氮化钨(WNX),以及它们的组合。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中所述光伏结构包含透明导电氧化物(TCO)层,并且其中所述金属粘附层与所述TCO层直接接触。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述电镀的金属层包含下列项中的一项或多项:
Cu层;
Ag层;以及
Sn层。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述金属格栅还包含位于所述电镀的金属层与光伏结构之间的金属籽晶层。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中所述金属籽晶层使用包括蒸发沉积和溅射沉积之一的物理气相沉积(PVD)技术来形成。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述各个指状线的预定边缘部分具有比所述各个指状线的中心部分的宽度大的宽度。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述光伏结构包含:
包含Si的基体层;以及
位于所述基体层上方的发射极层,其中所述发射极层包含下列项中的至少一项:
位于所述基体层内的以掺杂剂扩散的区域;
位于所述基体层上方的以掺杂剂扩散的多晶硅层;以及
位于所述基体层上方的掺杂的非晶硅(a-Si)层。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中所述掺杂剂包括下列项之一:
磷;以及
硼。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池,还包含位于所述光伏结构下方的背面金属格栅,其中所述背面金属格栅包含一个或多个电镀的金属层,其中所述背面金属格栅包含一个或多个指状线,并且其中各个指状线的每个端部经由附加的金属线耦接至相邻指状线的对应端部,从而确保所述各个指状线没有开口端。
13.一种用于制造太阳能电池的方法,包括:
在半导体结构的顶部上沉积透明导电氧化物(TCO)层以形成光伏结构;
在所述光伏结构的顶部上形成正面金属格栅,其中所述正面金属格栅包含一个或多个电镀的金属层,其中所述正面金属格栅包含一个或多个指状线,并且其中各个指状线的每个端部经由附加的金属线耦接至相邻指状线的对应端部,从而确保所述各个指状线没有开口端。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述附加的金属线位于所述太阳能电池的边缘附近,并且其中所述附加的金属线具有比所述各个指状线的宽度大的宽度。
15.根据权利要求13所述的方法,其中所述附加的金属线与所述各个指状线之间的相交部成圆角或倒角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的