[发明专利]具有电镀的金属格栅的光伏器件有效
申请号: | 201380052255.6 | 申请日: | 2013-10-03 |
公开(公告)号: | CN104781936A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 傅建明;J·B·衡;C·J·贝泰尔;徐征 | 申请(专利权)人: | 喜瑞能源公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0747 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电镀 金属 格栅 器件 | ||
技术领域
本公开内容一般地涉及太阳能电池。更特别地,本公开内容涉及包含通过电镀技术制成的金属格栅的太阳能电池。
背景技术
由化石燃料的使用造成的负面环境影响以及化石燃料不断上升的成本已经导致迫切需要更清洁的、更廉价的可替代能源。在不同形式的可替代能源当中,太阳能因其清洁性和广泛的可用性而受到青睐。
太阳能电池利用光伏效应将光转换成电。现有若干基本的太阳能电池结构,包括单p-n结太阳能电池、p-i-n/n-i-p太阳能电池和多结太阳能电池。典型的单p-n结结构包含p型掺杂层和n型掺杂层。具有单p-n结的太阳能电池可以是同质结太阳能电池或异质结太阳能电池。如果p型掺杂层和n型掺杂层两者都由相似的材料(具有相等带隙的材料)制成,则该太阳能电池称为同质结太阳能电池。与此相比,异质结太阳能电池包含至少两个不同带隙的材料层。p-i-n/n-i-p结构包含p型掺杂层、n型掺杂层以及夹于p层与n层之间的本征(未掺杂的)半导体层(i层)。多结结构包含一个在另一个顶部地彼此堆叠的具有不同带隙的多个单结结构。
在太阳能电池内,光在p-n结附近被吸收,生成载流子。载流子扩散到p-n结内并且由内建电场分离,从而在器件和外部电路间产生电流。确定太阳电池的质量的重要度量是它的能量转换效率,该能量转换效率被定义为所转换的功率(从所吸收的光到电能)与在太阳能电池连接至电路时所收集的功率之比。
图1给出了说明基于晶体硅(c-Si)基板的示例性同质结太阳能电池(现有技术)的示意图。太阳能电池100包含正面银电极格栅102、抗反射层104、发射极层106、基板108和铝(Al)背面电极110。在图1中的箭头指示入射的太阳光。
在常规的基于c-Si的太阳能电池内,电流由正面银格栅102收集。要形成银格栅102,常规的方法涉及将银浆料(该银浆料通常包含Ag粒子、有机粘结剂和玻璃料)印刷到晶片上并且然后在700~800℃的温度下焙烧银浆料。银浆料的高温焙烧确保了在Ag与Si之间的良好接触,并且降低了银线的电阻率。焙烧后的银浆料的电阻率典型为5×10-6~8×10-6ohm-cm,该电阻率比块体银的电阻率高得多。
除了高串联电阻之外,通过丝网印刷银浆料而获得的电极格栅还具有其他缺点,包括较高的材料成本、较宽的线宽,以及有限的线高。随着银价升高,银电极的材料成本已经超过了用于制造太阳能电池的处理成本的一半。以现有技术水平的印刷技术,银线典型地具有100~120微米的线宽,并且难以进一步缩小线宽。尽管喷墨印刷能够产生更窄的线,但是喷墨印刷存在其他问题,例如,低生产率。银线的高度同样受到印刷方法限制。一次印刷能够产生具有小于25微米的高度的银线。尽管多次印刷能够产生具有增大高度的线,但是它同样会增大线宽,这是高效率的太阳能电池所不希望的。类似地,Ag或Cu在印制银线上的电镀能够以增大的线宽为代价来增大线高。另外,这样的银线的电阻仍然过高以致无法满足高效率的太阳能电池的要求。
另一种解决方案是将Ni/Cu/Sn金属叠层直接电镀于Si发射极上。这种方法能够产生具有较低电阻的金属格栅(镀铜的电阻率典型为2×l0-6~3×l0-6ohm-cm)。但是,Ni对Si的粘附力小于理想值,并且来自金属叠层的应力可能会导致整个金属线的剥离。
发明内容
本发明的一种实施例提供一种太阳能电池。该太阳能电池包含光伏结构以及位于光伏结构上方的正面金属格栅。正面金属格栅还包含一个或多个电镀的金属层。正面金属格栅还包含一个或多个指状线(finger lines),并且各个指状线的每个端部经由附加的金属线耦接至相邻指状线的对应端部,从而确保各个指状线没有开口端。
在该实施例的一个变型中,附加的金属线位于太阳能电池的边缘附近并且具有比各个指状线的宽度大的宽度。
在该实施例的一个变型中,使在附加的金属线与各自的指状线之间的相交部成圆角或倒角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的