[发明专利]带导电性薄膜的玻璃基板、薄膜太阳能电池、低辐射玻璃基板、带导电性薄膜的玻璃基板的制造方法

权利要求书

1.带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，

在玻璃基板的面上依次层叠有底涂层和导电性薄膜，

所述玻璃基板的雾度在3％以下，所述玻璃基板的层叠所述底涂层、所述导电性薄膜的一侧的面的表面粗糙度(Ra)为0.5nm以上50nm以下。

2.带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，

在玻璃基板的面上依次层叠有含氧化硅的底涂层和导电性薄膜，

所述带有含氧化硅的底涂层的玻璃基板的雾度在3％以下，所述带有含氧化硅的底涂层的玻璃基板的层叠所述导电性薄膜的一侧的面的表面粗糙度(Ra)为0.5nm以上50nm以下。

3.如权利要求1所述的带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板的层叠所述底涂层、所述导电性薄膜的一侧的面用氟化氢进行了蚀刻处理。

4.如权利要求2所述的带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，所述带有含氧化硅的底涂层的玻璃基板的层叠所述导电性薄膜的一侧的面用氟化氢进行了蚀刻处理。

5.如权利要求3或4所述的带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，

所述采用氟化氢的蚀刻处理

通过对搬运中的板状玻璃在常压下喷射含氟化氢的气体来进行，

至少所述板状玻璃的喷射所述含氟化氢的气体的部分在300℃以上，

对于板状玻璃的被处理部分的喷射所述含氟化氢的气体的时间为1秒以上2分钟以下，

所述含氟化氢的气体中所含的氟化氢浓度为0.1体积％以上10体积％以下。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，所述底涂层至少具有含氧化硅的层。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，DHB试验中发生膜剥离的温度在150℃以上。

8.如权利要求1～7中的任一项所述的带导电性薄膜的玻璃基板，其特征在于，所述带导电性薄膜的玻璃基板为薄膜太阳能电池用玻璃基板。

9.薄膜太阳能电池，其特征在于，使用权利要求8所述的带导电性薄膜的玻璃基板。

10.低辐射玻璃基板，其特征在于，使用权利要求1～7中的任一项所述的带导电性薄膜的玻璃基板。

11.带导电性薄膜的玻璃基板的制造方法，

它是在玻璃基板的面上依次层叠有底涂层和导电性薄膜，

所述玻璃基板的层叠所述底涂层、所述导电性薄膜的一侧的面用氟化氢进行蚀刻处理的带导电性薄膜的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

所述采用氟化氢的蚀刻处理通过对搬运中的板状玻璃、在常压下于300℃以上、以1秒以上2分钟以下的时间、喷射氟化氢浓度为0.1体积％以上10体积％以下的含氟化氢的气体来进行。

12.带导电性薄膜的玻璃基板的制造方法，

它是在玻璃基板的面上依次层叠有含氧化硅的底涂层和导电性薄膜，

所述带有含氧化硅的底涂层的玻璃基板的层叠所述导电性薄膜的一侧的面用氟化氢进行蚀刻处理的带导电性薄膜的玻璃基板的制造方法，其特征在于，

所述采用氟化氢的蚀刻处理通过对搬运中的形成有含氧化硅的底涂层的板状玻璃、在常压下于300℃以上、以1秒以上2分钟以下的时间、喷射氟化氢浓度为0.1体积％以上10体积％以下的含氟化氢的气体来进行。