[发明专利]III族氮化物半导体激光元件、制作III族氮化物半导体激光元件的方法、评价III族氮化物半导体激光元件的光谐振器用的端面的方法、评价刻划槽的方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

具备：激光结构体，包括由六方晶系的III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支承基体及设置在所述支承基体的所述半极性主面上的半导体区域；和

电极，设置在所述激光结构体的所述半导体区域上，

所述支承基体的所述III族氮化物半导体的c轴朝向<0001>轴方向，

所述<0001>轴方向由c+轴矢量表示，

所述半导体区域具有包含氮化镓系半导体层的活性层，

在所述支承基体的所述III族氮化物半导体的从所述c轴向所述III族氮化物半导体的[-1010]轴的方向上，该c轴相对于所述半极性主面的法线轴成角度ALPHA，所述角度ALPHA为71度以上且79度以下的范围，

所述激光结构体包括第一端面及第二端面，所述第一端面及所述第二端面与由所述III族氮化物半导体的m轴及所述法线轴规定的m-n面交叉，该III族氮化物半导体激光元件的激光谐振器包括所述第一端面及所述第二端面，

所述激光结构体包括第一面及第二面，所述第一面是所述第二面的相反侧的面，所述半导体区域位于所述第一面与所述支承基体之间，

所述第一端面的第一法线矢量被规定在所述第一端面和所述第一面的第一边缘上，所述c+轴矢量在从所述[-1010]轴朝向所述c轴的方向上在所述m-n面内相对于所述第一法线矢量以角度α1倾斜，所述角度α1是10度以上且25度以下的范围，

所述第一端面的第二法线矢量被规定在所述第一端面和所述第二面的第二边缘上，所述c+轴矢量在从所述[-1010]轴朝向所述c轴的方向上在所述m-n面内相对于所述第二法线矢量以角度β1倾斜，所述角度β1是0度以上且5度以下的范围，

在所述第一端面及所述第二端面均现出所述支承基体的端面及所述半导体区域的端面。

2.一种III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

具备：激光结构体，包括由六方晶系的III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支承基体及设置在所述支承基体的所述半极性主面上的半导体区域；和

电极，设置在所述激光结构体的所述半导体区域上，

所述支承基体的所述III族氮化物半导体的c轴朝向<0001>轴方向，

所述<0001>轴方向由c+轴矢量表示，

所述半导体区域具有包含氮化镓系半导体层的活性层，

在所述支承基体的所述III族氮化物半导体的从c轴向所述III族氮化物半导体的[-1010]轴的方向上，该c轴相对于所述半极性主面的法线轴成角度ALPHA，所述角度ALPHA为71度以上且79度以下的范围，

所述激光结构体包括第一端面及第二端面，所述第一端面及所述第二端面与由所述III族氮化物半导体的m轴及所述法线轴规定的m-n面交叉，该III族氮化物半导体激光元件的激光谐振器包括所述第一端面及所述第二端面，

所述激光结构体包括第一面及第二面，所述第一面是所述第二面的相反侧的面，所述半导体区域位于所述第一面与所述支承基体之间，

所述第一端面的第一法线矢量被规定在所述第一端面和所述第一面的第一边缘上，所述c+轴矢量在从所述[-1010]轴朝向所述c轴的方向上在所述m-n面内相对于所述第一法线矢量以角度α1倾斜，

所述第一端面的第二法线矢量被规定在所述第一端面和所述第二面的第二边缘上，所述c+轴矢量在从所述[-1010]轴朝向所述c轴的方向上在所述m-n面内相对于所述第二法线矢量以角度β1倾斜，

所述角度α1与所述角度β1不同，所述角度α1及所述角度β1具有相同符号，所述角度α1的绝对值大于所述角度β1的绝对值，

所述第一端面具有沿所述c轴与所述m轴的矢积的方向延伸的条纹状的结构，

在所述第一端面及所述第二端面均现出所述支承基体的端面及所述半导体区域的端面。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述c+轴矢量包括所述半极性主面的所述法线轴的方向的法线分量和与所述半极性主面平行的方向的平行分量，

所述激光结构体包括在所述支承基体的所述半极性主面上延伸的激光波导结构，

所述c+轴矢量的所述平行分量朝着从所述第二端面向所述第一端面的方向，所述激光波导结构在所述c+轴矢量的所述平行分量的方向上延伸。