[发明专利]III族氮化物半导体激光元件、制作III族氮化物半导体激光元件的方法、评价III族氮化物半导体激光元件的光谐振器用的端面的方法、评价刻划槽的方法

说明书

技术领域

本发明涉及III族氮化物半导体激光元件、制作III族氮化物半导体激光元件的方法、评价III族氮化物半导体激光元件的光谐振器用的端面的方法及评价刻划槽的方法。

背景技术

专利文献1公开了一种具有解理面及干刻面这双方的氮化物系半导体激光元件。专利文献2及专利文献3公开了一种在半极性面上制作的III族氮化物半导体激光元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-081336号公报

专利文献2：日本特开2011-003660号公报

专利文献3：日本特开2011-135016号公报

发明内容

发明要解决的课题

专利文献1所示的氮化物系半导体激光元件包括：具有由(11-22)面构成的主表面的n型GaN基板；及形成在(11-22)面上且包含活性层的半导体激光元件层。在半导体激光元件层的一端面上设有谐振器用的端面，该端面沿着与n型GaN基板的主表面大致垂直的方向延伸。另一方面，n型GaN基板具备由该n型GaN基板的(0001)解理面构成的元件分离面，该元件分离面相对于谐振器的端面以约30度的角度倾斜。

在专利文献1所示的氮化物系半导体激光元件中，在通过干法刻蚀形成谐振器用的端面之后，通过解理形成n型GaN基板的(0001)解理面。因而，氮化物系半导体激光元件的制作用的工序复杂。

专利文献2公开了III族氮化物半导体激光元件。该III族氮化物半导体激光元件具有在III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面上能够形成低阈值电流的激光谐振器。而且，专利文献3公开了一种III族氮化物半导体激光元件。该III族氮化物半导体激光元件使用III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面，而且在与基板的半极性面平行的平面内规定激光谐振器用的端面的上端缘及下端缘的角度，并以使上端缘及下端缘的角度不同的方式形成激光谐振器端面。

根据发明者们的见解，在利用III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面的半导体元件中，根据<0001>轴(或<000-1>轴)的朝向，端面的形态及端面的品质不同，能够对其进行控制。

本发明的一方面的目的在于提供一种在III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面上，具有能够减少反馈光的扰乱的激光谐振器的III族氮化物半导体激光器。而且，本发明的另一方面的目的在于提供一种制作该III族氮化物半导体激光器的方法。而且，本发明的又一方面的目的在于提供一种制作能够调整使激光射出、反射及/或透过的端面的品质的III族氮化物半导体激光元件的方法。本发明的再一方面的目的在于提供一种评价III族氮化物半导体激光元件的光谐振器用的端面的方法。而且，本发明的再一方面的目的在于提供一种评价III族氮化物半导体激光元件的光谐振器用的端面的形成所使用的刻划槽的方法。

用于解决课题的方案