[发明专利]压力传感器以及具备该压力传感器的传感器单元有效

专利信息
申请号: 201380054448.5 申请日: 2013-10-15
公开(公告)号: CN104736983A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 石川琢郎;金井佑二;松并和宏 申请(专利权)人: 株式会社鹭宫制作所;富士电机株式会社
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 张敬强;严星铁
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压力传感器 以及 具备 传感器 单元
【说明书】:

技术领域

本发明涉及具备传感器芯片的压力传感器以及具备该压力传感器的传感器单元。

背景技术

液封型的单芯片半导体压力传感器例如如专利文献1所示,构成传感器单元的一部分。传感器单元配置在形成于金属制的接头部的内侧的压力检测室内。这样的传感器单元例如构成为作为主要要素包含:支承于接头部内且将上述的压力检测室和后述的液封室隔绝的膜片;形成于膜片的下方且存积作为压力传递介质的硅油的液封室;配置在液封室内且检测根据膜片的位移的硅油的压力变动的传感器芯片;支承传感器芯片的芯片安装部件;将壳体的贯通孔中的芯片安装部件的周围密封的密封玻璃;进行从传感器芯片的输出信号的送出以及对传感器芯片的电力供给的端子组。

这样的传感器芯片中,如专利文献1中的图10所示,提出了包含如下部件的传感器芯片,即,包含:多个压力检测元件一体形成的可动部(压力检测部);与可动部的周围的基台一体形成且与压力检测元件电连接的电路;覆盖该可动部以及基台的上表面的氧化膜;除了氧化膜中的与可动部对应的部分以外覆盖氧化膜整体的金属制薄膜。这样的金属制薄膜为了防止在电路产生负面影响而由铝蒸镀形成。另外,金属制薄膜构成为除了与可动部对应的部分以外覆盖氧化膜整体是为了防止压力传感器的特性的恶化。

上述的单芯片半导体压力传感器中,近来也要求电磁兼容性(以下,也称为EMC(Electro Magnetic Compatibility))。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:专利第3987386号说明书

发明内容

上述的传感器芯片中,通过铝蒸镀形成的金属制薄膜构成为除了与可动部对应的部分以外覆盖氧化膜整体的情况下,有可能由通过金属制薄膜的布线形成的电感、和在形成电路的输出电压线的导电层和金属制薄膜之间形成的电容器来形成共振电路。这样的情况下,EMC的性能有可能因共振电路产生的噪声而恶化。

考虑以上的问题点,本发明的目的在于,提供压力传感器以及具备该压力传感器的传感器单元,其为能够良好地维持EMC的性能并且还能够防止在电路产生负面影响的压力传感器以及具备该压力传感器的传感器单元。

为了实现上述的目的,本发明的压力传感器构成为具备:

传感器芯片,其构成为包含:具备具有多个压力检测元件且能够根据作用的压力来位移的可动部和与可动部连接的固定部的主体部、形成于在主体部上层叠的第一层且经由导电层与压力检测元件连接的电路、以及形成于在第一层上层叠的第二层的屏蔽层;以及

电阻体,其连接于屏蔽层与规定的电位之间。

具备本发明的压力传感器的传感器单元,构成为具备:上述压力传感器;通过密封件收纳压力传感器的壳体;将需要检测压力的压力室与壳体的内周部隔绝的膜片;填充于膜片与压力传感器的传感器芯片之间的压力传递介质;以及与压力传感器的传感器芯片的电路电连接的端子组。

根据本发明的压力传感器以及具备该压力传感器的传感器单元,具备形成于在第一层上层叠的第二层的屏蔽层、和连接于屏蔽层与规定的电位之间的电阻体,所以能够良好地维持EMC的性能,并且能够防止在电路产生负面影响。

附图说明

图1A是表示本发明的压力传感器的第一实施例的传感器芯片的俯视图。

图1B是图1A中的剖视图。

图2是示意性地表示图1A以及图1B所示的例子中的电路结构的示意图。

图3是表示图2所示的例子中的等效电路的电路图。

图4是表示适用于图1A以及图1B所示的例子的等效电路的另一个例子的电路图。

图5是概略地表示适用本发明的压力传感器以及具备该压力传感器的传感器单元的多个实施例的压力检测装置的主要部分的局部剖视图。

图6A是表示本发明的压力传感器的第二实施例中的传感器芯片的俯视图。

图6B是图6A中的剖视图。

图7是表示图2所示的例子中作为电阻体使用的导体图案的一个例子的图。

具体实施方式

图5概略地表示适用本发明的压力传感器以及具备该压力传感器的传感器单元的第一实施例以及后述的其他的实施例的压力检测装置的主要部分。

图5中,压力检测装置构成为包含:与引导需要检测压力的流体的配管连接的接合部10;以及与接合部10连结且将检测输出信号从接合部10供给到规定的压力测定装置的连接器部12。

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