[发明专利]标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法

权利要求书

1.一种标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其特征在于，将含有至少1种的标准电极电位大于0V的元素的离子和质子性溶剂的质子性溶剂溶液与对所述质子性溶剂具有难溶性的聚硅烷混合，由所述标准电极电位大于0V的元素的离子制造该元素的粒子。

2.根据权利要求1所述的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，所述元素的标准电极电位为0.2V以上。

3.根据权利要求2所述的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，所述元素为选自金、汞、银、铑、钯、碘、铂、锗、硫、钌、锇、铱、铼、铜、碲、铅、砷以及铋中的至少1种。

4.根据权利要求3所述的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，所述元素为选自金、汞、银、铑、碘、铂、锗、硫、钌以及铋中的至少1种，进一步包含将吸附于所述聚硅烷的所述元素的粒子回收的工序。

5.根据权利要求4所述的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，进一步包含对吸附于所述聚硅烷的所述元素的粒子进行燃烧处理，得到除去了所述聚硅烷的粒子的工序。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，所述质子性溶剂溶液进一步含有至少1种的标准电极电位为0V以下的元素的离子。

7.一种标准电极电位大于0V的元素的粒子与聚硅烷的复合体，其特征在于，至少1种的标准电极电位大于0V的元素的粒子吸附于对质子性溶剂具有难溶性的聚硅烷，其中，所述聚硅烷为二甲基聚硅烷时，所述元素不包括钯。

8.根据权利要求7所述的标准电极电位大于0V的元素的粒子与聚硅烷的复合体，其中，所述元素为选自金、汞、银、铑、钯、碘、铂、锗、硫、钌、锇、铱、铼、铜、碲、铅、砷以及铋中的至少1种。